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1. (WO2006122727) SATURABLE ABSORBER FOR A PASSIVELY MODE-LOCKED LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/122727    International Application No.:    PCT/EP2006/004511
Publication Date: 23.11.2006 International Filing Date: 12.05.2006
IPC:
H01S 3/098 (2006.01), G02F 1/35 (2006.01), G02F 1/355 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITÄT KONSTANZ [DE/DE]; Universitätsstrasse 10, 78457 Konstanz (DE) (For All Designated States Except US).
FORSCHUNGSZENTRUM ROSSENDORF E.V. [DE/DE]; Bautzener Landstr. 128, 01328 Dresden (DE) (For All Designated States Except US).
DEKORSY, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NEUHAUS, Jörg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HELM, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: DEKORSY, Thomas; (DE).
NEUHAUS, Jörg; (DE).
HELM, Manfred; (DE)
Agent: MEIER, Christof; Dreiss, Fuhlendorf, Steimle & Becker, Postfach 10 37 62, 70032 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2005 022 436.9 14.05.2005 DE
Title (DE) SÄTTIGBARER ABSORBER FÜR EINEN PASSIV MODENGEKOPPELTEN LASER
(EN) SATURABLE ABSORBER FOR A PASSIVELY MODE-LOCKED LASER
(FR) ABSORBEUR SATURABLE DESTINE A UN LASER A MODES BLOQUES PASSIVEMENT
Abstract: front page image
(DE)Vorgestellt wird ein durch hohe Laserlichtintensitäten sättigbarer Absorber (30) als Bestandteil eines passiv modengekoppelten Lasers. Der Absorber (30) zeichnet sich dadurch aus, dass er aus einer Halbleiter-Schichtstruktur mit einem oder mehreren Quantenfilmen bzw. Quantentöpfen aufgebaut ist, jeder Quantentopf Barriereschichten (34.1, ..., 34.N) aufweist, die eine Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) begrenzen und die sich mit der Topf Schicht (36.1, ..., 36. N- 1) in einer Wachs tumsr ich tung der Halbleiter-Schichtstruktur abwechseln, die Dicke der Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) so dimensioniert ist, dass sie wenigstens ein oberes Energieniveau und wenigstens ein unteres Energieniveau für Elektronen aufweist, deren Energiedifferenz kleiner als ein Lei tungs -Bandkantenoffset zwischen einer Barriereschicht (34.1, ..., 34.N) und einer benachbarten Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) ist, das untere Niveau durch eine geeignete Dotierung mit Elektronen gefüllt ist, die durch Wechselwirkung mit Photonen, deren Energie der Energiedifferenz entspricht, zu Intersubbandübergängen zwischen dem unteren Energieniveau und dem oberen Energieniveau fähig sind, und die Energiedifferenz der Energie von Photonen einer Emissionswellenlänge des Lasers entspricht.
(EN)The invention relates to an absorber (30) that can be saturated by means of high laserlight intensities and that is embodied as a component of a passively mode-locked laser. The absorber (30) is characterized in that: it forms a semiconductor layer structure comprising one or more quantum films or quantum wells, each quantum well having barrier layers (34.1, ..., 34.N) which delimit a well layer (36.1, ..., 36.N-1) and alternate with the well layer (36.1, ..., 36.N-1) in a direction of growth of the semiconductor layer structure; the thickness of the well layer (36.1, ..., 36.N-1) is dimensioned in such a way that it has at least one upper energy level and at least one lower energy level for the electrons, the difference in energy between both being smaller than a band edge offset between a barrier layer (34.1, ..., 34.N) and an adjacent well layer (36.1, ..., 36.N-1); the lower level is filled with an appropriate doping of electrons which are capable, by interaction with photons whose energy corresponds to the difference in energy, of intersubband transitions between the lower energy level and the upper energy level; and the difference in energy of the photon energy corresponds to an emission wavelength of the laser.
(FR)L'invention concerne un absorbeur (30) saturable au moyen d'intensités de lumière laser élevées, faisant partie d'un laser à mode bloqués passivement. L'absorbeur (30) est caractérisé en ce qu'il est composé d'une structure de couches à semiconducteurs comportant une ou plusieurs pellicules quantiques ou puits quantiques, chaque puits quantique présente des couches barrière (34.1, ..., 34.N) délimitant une couche de puits (36.1, ..., 36. N-1), alternées avec la couche de puits (36.1, ..., 36. N-1) dans une direction de croissance de la structure de couches à semiconducteurs, l'épaisseur de la couche de puits (36.1, ..., 36. N-1) est choisie de telle manière qu'elle présente au moins un niveau énergétique supérieur et au moins un niveau énergétique inférieur dont la différence est inférieure à un décalage d'arête de bande de conduction entre une couche barrière (34.1, ..., 34.N) et une couche de puits (36.1, ..., 36. N-1) adjacente, le niveau inférieur est rempli par dopage adéquat avec des électrons, capables de transitions entre les sous-bandes entre le niveau énergétique inférieur et le niveau énergétique supérieur, par interaction avec des photons dont l'énergie correspond à la différence d'énergie, et la différence d'énergie des photons correspond à une longueur d'onde d'émission du laser.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)