(EN) A method (300) and apparatus (200) for fabricating a semiconductor package (100), wherein a heat spreader (118) is placed in a mold cavity (204) of a mold (202), and a leadframe (108) is placed over the heat spreader (118). A magnetic field (218) is applied to the mold cavity (204), wherein one or more of the heat spreader (118) and leadframe (108) are generally attracted to a surface (212) of the mold cavity (204), thus generally determining. a position (214) of the heat spreader (118) within the mold cavity (204) and defining a contact region (120) between the heat spreader (118) and the mold (202). An encapsulation material (114) is further injected into the mold cavity (204), wherein the encapsulation material (114) is generally prevented from entering the contact region (120) due, at least in part, to the applied magnetic field (218). The encapsulation material (114) is then cured, and the semiconductor package (100) is removed from the mold cavity (204).
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil (200) permettant de fabriquer un boîtier semi-conducteur, dans lequel un diffuseur thermique (118) est placé dans une cavité de moule (204) et une grille de connexion (108) est placée sur ce diffuseur thermique. Un champ magnétique (218) est appliqué sur la cavité de moule, le diffuseur thermique et/ou la grille de connexion étant généralement attirés vers la surface (212) de la cavité de moules, déterminant généralement une position (214) du diffuseur thermique à l'intérieur de cette cavité et définissant une région de contact (120) entre le diffuseur thermique et la cavité. Un matériau d'encapsulation est ensuite injecté dans la cavité de moule, ce matériau d'encapsulation étant généralement empêché d'entrer dans la région de contact au moins en partie du fait du champ magnétique appliqué. Le matériau d'encapsulation est ensuite durci et le boîtier semi-conducteur est retiré de la cavité de moule.