(EN) This invention discloses a one-time programmable (OTP) memory cell. The OTP memory cell includes a dielectric layer disposed between two conductive polysilicon segments wherein the dielectric layer is ready to change from a non-conductive state to a conductive state through an induced voltage breakdown. In a preferred embodiment, one of the conductive polysilicon segments further includes an etch undercut configuration for conveniently inducing the voltage breakdown in the dielectric layer. In a preferred embodiment, the dielectric layer is further formed as sidewalk covering the edges and corners of a first polysilicon segments to conveniently induce a voltage breakdown in the dielectric layer by the edge and corner electrical field effects.
(FR) L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique (OTP). La cellule mémoire OTP comprend une couche diélectrique disposée entre deux segments de polysilicium conducteurs, ladite couche diélectrique pouvant passer d'un état non conducteur à un état conducteur par rigidité diélectrique induite. Dans un mode de réalisation préféré, un des segments de polysilicium conducteurs comprend en outre une configuration de cote de gravure permettant d'induire convenablement la rigidité diélectrique dans la couche diélectrique. Dans un mode de réalisation préféré, la couche diélectrique se présente sous forme de bordure recouvrant les bords et les coins d'un premier segment de polysilicium afin d'induire convenablement une rigidité diélectrique dans la couche diélectrique par les effets de champ électrique des bords et des coins.
