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1. (WO2006121563) METHOD AND SYSTEM FOR LINE-DIMENSION CONTROL OF AN ETCH PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/121563    International Application No.:    PCT/US2006/013562
Publication Date: 16.11.2006 International Filing Date: 12.04.2006
IPC:
G06F 19/00 (2006.01), G03F 7/36 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
RANADE, Rajiv, M. [IN/US]; (US) (For US Only).
MAGTOTO, Teresita, Q. [US/US]; (US) (For US Only).
BEHM, Gary, W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RANADE, Rajiv, M.; (US).
MAGTOTO, Teresita, Q.; (US).
BEHM, Gary, W.; (US)
Agent: CAPELLA, Steven; IBM Corporation, 2070 Route 52, Bldg. 321/ Zip 482, Hopewell Junction, New York 12533 (US)
Priority Data:
11/125,696 10.05.2005 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR LINE-DIMENSION CONTROL OF AN ETCH PROCESS
(FR) METHODE ET SYSTEME POUR UNE COMMANDE DE DIMENSION DE LIGNE D'UN PROCEDE D'ATTAQUE
Abstract: front page image
(EN)A method and system for controlling a dimension of an etched feature (150). The method includes: measuring a mask feature (145) formed on a top surface of a layer (110) on a substrate (100) to obtain a mask feature dimension value; and calculating (265) a mask trim plasma etch time based on the mask feature dimension value, a mask feature dimension target value (255), a total of selected radio frequency power-on times of a plasma etch tool (180) since an event occurring to a chamber or chambers of a plasma etch tool for plasma etching the layer, and an etch bias target for a layer feature to be formed from the layer where the layer is not protected by the mask feature during a plasma etch (275) of the layer.
(FR)L'invention concerne une méthode et un système pour commander la dimension d'un élément gravé (150). Cette méthode consiste à: mesurer un élément de masque (145) formée sur une surface supérieure d'une couche (110) sur un substrat (100) pour obtenir une valeur de dimension d'élément de masse; et calculer (265) une durée d'attaque au plasma de bordure de masque en fonction de la valeur de dimension d'élément de masque, une valeur cible de la dimension d'élément de masque (255), un total de durées de mise sous tension, à des radiofréquences sélectionnées, d'un outil d'attaque au plasma (180) depuis l'apparition d'un événement dans une chambre ou dans des chambres d'un outil d'attaque au plasma pour attaquer la couche au plasma, et une cible de polarisation d'attaque pour un élément de couche à former à partir de cette couche, la couche n'étant pas protégée par l'élément de masque pendant l'attaque au plasma (275) de cette couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)