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1. (WO2006120843) PLASMA CLEANING METHOD, FILM FORMING METHOD AND PLASMA TREATMENT APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/120843    International Application No.:    PCT/JP2006/308112
Publication Date: 16.11.2006 International Filing Date: 18.04.2006
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
ASHIGAKI, Shigeo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAKAMI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MOROI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASHIGAKI, Shigeo; (JP).
KATO, Yoshihiro; (JP).
KAWAKAMI, Satoru; (JP).
MOROI, Masayuki; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2005-138501 11.05.2005 JP
Title (EN) PLASMA CLEANING METHOD, FILM FORMING METHOD AND PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE PAR PLASMA, PROCEDE DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマクリーニング方法、成膜方法およびプラズマ処理装置
Abstract: front page image
(EN)A plasma cleaning method includes a first step wherein a space between an upper electrode and a lower electrode is set at a first gap, a cleaning gas is introduced from a gas introducing means, the cleaning gas plasma is generated by applying high frequency power to the upper electrode and/or the lower electrode, and inside of a treatment chamber is cleaned. After the first step, a second step is implemented for performing plasma cleaning by generating the cleaning gas plasma with a second gap wider than the first gap. After the second step, a third step is implemented for performing cleaning by introducing at least the cleaning gas plasma generated outside with the second gap.
(FR)Le procédé de nettoyage par plasma de l’invention inclut une première étape au cours de laquelle un espace entre une électrode supérieure et une électrode inférieure est fixé à un premier écartement, un gaz de nettoyage est introduit via un moyen d’introduction de gaz, le plasma de gaz de nettoyage est généré en appliquant une alimentation électrique de haute fréquence à l’électrode supérieure et/ou l’électrode inférieure et l’intérieur d’une enceinte de traitement est nettoyé. Cette première étape est suivie d’une deuxième étape destinée à effectuer un nettoyage en générant le plasma de gaz de nettoyage en utilisant un second écartement plus important que le premier. Cette deuxième étape est suivie d’une troisième étape consistant à effectuer un nettoyage en introduisant au moins le plasma de gaz de nettoyage généré à l’extérieur avec le second écartement.
(JA) プラズマクリーニング方法は、上部電極と下部電極との間隔を第1のギャップに設定し、ガス導入手段からクリーニングガスを導入するとともに、上部電極および/または下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、処理容器内をクリーニングする第1のステップを含んでいる。第1のステップの後で第1のギャップより広い第2のギャップでクリーニングガスのプラズマを生成してプラズマクリーニングを行なう第2のステップが施される。第2のステップの後に、第2のギャップで、少なくとも、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入してクリーニングを行なう第3のステップが施される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)