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1. (WO2006117949) SPUTTERING TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/117949    International Application No.:    PCT/JP2006/306223
Publication Date: 09.11.2006 International Filing Date: 28.03.2006
Chapter 2 Demand Filed:    25.09.2006    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (For All Designated States Except US).
MIYASHITA, Hirohito [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIYASHITA, Hirohito; (JP)
Agent: OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F 3-1-10 Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-132224 28.04.2005 JP
Title (EN) SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVERISATION
(JA) スパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio is not more than 0.4, even not more than 0.2. A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in the target surface is not more than 0.8 and the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in a depth of 100 μ or more is not more than 0.4. These Ta or Ta alloy targets can minimize a variation in film formation rate for each target during the life of sputtering targets, and thus can improve and stabilize the production efficiency of semiconductors in the sputtering process and can contribute to a reduction in production cost.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation comprenant Ta ou un alliage de Ta, caractérisée en ce que le rapport d’intensité de diffraction aux rayons X du plan {110} n’est pas supérieur à 0,4, même pas supérieur à 0,2. Cible de pulvérisation comprenant Ta ou un alliage de Ta, caractérisée en ce que le rapport d’intensité de diffraction aux rayons X du plan {110} dans la surface de cible n’est pas supérieur à 0,8 et en ce que le rapport d’intensité de diffraction aux rayons X du plan {110} dans une profondeur de 100 µ ou plus n’est pas supérieur à 0,4. Ces cibles de Ta ou d’alliage de Ta peuvent minimiser une variation dans la vitesse de formation de film pour chaque cible pendant la vie des cibles de pulvérisation, et ainsi peuvent améliorer et stabiliser l’efficacité de production des semi-conducteurs dans le processus de pulvérisation et peuvent contribuer à une réduction du coût de production.
(JA) TaもしくはTa合金のターゲットにおいて{110}面のX線回折強度比が0.4以下、さらには{110}面のX線回折強度比が0.2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。TaもしくはTa合金のターゲット表面における{110}面のX線回折強度比が0.8以下でかつ100μ深さ以降の{110}面のX線強度比が0.4以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタターゲットにおけるライフを通じたターゲット毎の成膜速度の変動を最小とし、もってスパッタリングプロセスにおける半導体の生産効率を向上、安定化させるとともに生産コストの低減に貢献するTaもしくはTa合金ターゲットを提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)