(DE) Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat, das eine erste Grenzfläche zwieschen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gittestrukturen relativ zueinender um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche liegende Achse (110) um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenspektrum des Halbleiterbauelement ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
(EN) The invention relates to a light-emitting semiconductor component comprising a substrate provided with a first interface arranged between first and second silicon layers whose lattice structures considered as ideal are oriented to each other at an angle of rotation about a first axis (118) perpendicular to the substrate surface and are inclined at a tilting angle about a second axis (110) parallel thereto in such a way that a dislocation network is available in the interface area, wherein the rotation and tilting angles are selected in such a way that the electroluminescent spectrum of the semiconductor component exhibits an absolute maximum of the light intensity emitted at 1.3 or 1.55 light wavelength micrometers.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur électroluminescent qui comprend un substrat présentant une première surface limite entre une première et une deuxième couche de silicium dont les structures de grille considérées comme idéales sont tournées l'une par rapport à l'autre d'un angle de rotation autour d'un premier axe (118) perpendiculaire à la surface du substrat et sont inclinées d'un angle d'inclinaison autour d'un deuxième axe (110) parallèle à la surface du substrat, de sorte qu'on a un réseau de dislocation dans la zone de la surface limite. L'angle de rotation et l'angle d'inclinaison sont sélectionnés de sorte qu'un spectre d'électroluminescence du composant semi-conducteur présente un maximum absolu de l'intensité lumineuse émise soit à 1,3 micromètre de longueur d'onde lumineuse soit à 1,55 micromètre de longueur d'onde lumineuse.