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1. (WO2006116098) MIXED -CRYSTAL-ORIENTATION CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/116098    International Application No.:    PCT/US2006/015107
Publication Date: 02.11.2006 International Filing Date: 21.04.2006
IPC:
H01L 29/04 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
DESOUZA, Joel P. [BR/US]; (US) (For US Only).
SADANA, Devendra K. [US/US]; (US) (For US Only).
SAENGER, Katherine L. [US/US]; (US) (For US Only).
SUNG, Chun-yung [--/US]; (US) (For US Only).
YANG, Min [CN/US]; (US) (For US Only).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DESOUZA, Joel P.; (US).
SADANA, Devendra K.; (US).
SAENGER, Katherine L.; (US).
SUNG, Chun-yung; (US).
YANG, Min; (US).
YIN, Haizhou; (US)
Agent: GROLZ, Edward W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Priority Data:
11/116,053 27.04.2005 US
Title (EN) MIXED -CRYSTAL-ORIENTATION CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT DES REGIONS DE SOURCE/DRAIN ET DE CANAL A ORIENTATION CRISTALLINE MIXTE
Abstract: front page image
(EN)In the claimed mixed-crystal-orientation channel FET, source/drain regions above the bonded interface 360 have the orientation of the upper semiconductor 350 and source/drain regions below the bonded interface 360 have the orientation of the lower semiconductor 370, so that each part of the source/drain has the same crystal orientation as the semiconductor material laterally adjacent to it. Optional source/drain extensions 392 are disposed entirely in the upper semiconductor layer 350. Optionally, the bonded interface 360 is situated towards the bottom of source/drain regions 380, leaving source/drains 380 mostly in upper semiconductor layer 350.
(FR)Des substrats à orientation hybride permettent de fabriquer des circuits à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS) dans lesquels les transistors à effet de champ de type n (nFET) sont disposés dans un semi-conducteur selon une orientation optimale pour la mobilité des électrons et les transistors à effet de champ de type p (pFET) sont disposés dans un semi-conducteur selon une orientation optimale pour la mobilité des trous. Selon l'invention, les avantages de performance de FET formés entièrement avec l'orientation optimale dans le semi-conducteur peuvent être obtenus si le canal du dispositif est simplement disposé dans un semi-conducteur avec l'orientation optimale. Diverses nouvelles structures FET sont décrites, ces structures présentant toutes la caractéristique suivante : au moins une partie du canal du FET présente une orientation différente de celle d'au moins une partie de la source et/ou du drain du FET. Des substrats hybrides dans lesquels ces nouveaux FET peuvent être incorporés et des procédés de fabrication de ceux-ci sont présentés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)