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1. (WO2006114999) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/114999    International Application No.:    PCT/JP2006/307205
Publication Date: 02.11.2006 International Filing Date: 05.04.2006
Chapter 2 Demand Filed:    22.11.2006    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), G02F 1/37 (2006.01), H01L 29/161 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01)
Applicants: KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP) (For All Designated States Except US).
SUDA, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUDA, Jun; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP)
Agent: HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F, 3-20, Toranomon 4-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Priority Data:
2005-119971 18.04.2005 JP
Title (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS DE COMPOSE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 化合物半導体装置及び化合物半導体製造方法
Abstract: front page image
(EN)Arbitrary polarity, crystal face and crystal orientation are made to exist mixedly in a plane on the surface of a SiC substrate and a SiC layer or a III compound nitride or II oxide layer is formed on the surface. A first SiC substrate having (0001) face and a second SiC substrate having (000-1) face are bonded through an oxide film and then the second SiC substrate is made thin. Subsequently, a thin layer of the second SiC substrate is machined in stripe and removed in correspondence with required periodic reversal thus producing a substrate where the (0001) face and the (000-1) face of SiC appear alternately on the surface. When a multilayer structure of III nitrides is grown on the substrate thus produced, the III nitrides grow while inheriting the face orientation of SiC exposed on the surface and thereby a reversal structure of spatial periodic crystal axis can be attained. Finally, a stripe structure for realizing light confinement in the lateral direction, i.e. the in-plane direction of the substrate, is formed thus completing a nonlinear optical element.
(FR)Dans la présente invention, une polarité arbitraire, une face de cristal et une orientation de cristal sont réalisées pour exister de manière mixte dans un plan sur la surface d'un substrat de SiC et une couche de SiC ou un nitrure de composé III ou une couche d'oxyde II est formé sur la surface. Un premier substrat SiC comprenant (0001) face et un second substrat SiC comprenant (000-1) face sont liés via un film d'oxyde, enfin le second substrat SiC est affiné. Par la suite, une couche mince du second substrat SiC est usinée en bande et retirée conformément à l'inversement périodique requis, ce qui produit un substrat dans lequel la (0001) face et la (000-1) face du SiC apparaissent alternativement sur la surface. Lorsqu'une structure multi-couches de nitrures III est cultivée sur le substrat ainsi produit, les nitrures III grandissent tout en héritant de l'orientation de face du SiC exposé sur la surface ; il est donc possible d'obtenir une structure inverse de l'axe du cristal périodique spatial. Enfin, une structure en bande, pour parvenir à un confinement de la lumière dans la direction latérale, c'est-à-dire la direction en plan du substrat, est formée, ce qui termine un élément optique non-linéaire.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)