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1. WO2006100968 - METHOD OF FILM FORMATION, FILM FORMATION APPARATUS, PERMANENT MAGNET, AND PROCESS FOR PRODUCING PERMANENT MAGNET

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ JA ]

請求の範囲

[1] 処理室を加熱し、この処理室内に予め配置した金属蒸発材料を蒸発させて金属蒸 気雰囲気を処理室内に形成する第一工程と、処理室内の温度より低く保持した被成 膜物をこの処理室に搬入し、処理室内と被成膜物との間の温度差によって被成膜物 の表面に前記金属蒸発材料を選択的に付着堆積させる第二工程とを含むことを特 徴とする成膜方法。

[2] 前記金属蒸気雰囲気が、前記処理室内で飽和状態であることを特徴とする請求項 1 記載の成膜方法。

[3] 加熱手段によって内部を略均一に高温加熱できるように構成した処理室と、この処理 室に連通する準備室と、処理室及び準備室を所定の真空度に保持する真空排気手 段と、処理室と準備室とを連通した開位置及び処理室を密閉する閉位置との間で移 動自在な遮蔽手段と、被成膜物を処理室と準備室との間で移動可能とし、遮蔽手段 の開位置で被成膜物を処理室に移動させたときこの処理室の密閉を可能とする搬送 手段とを備え、前記遮蔽手段の閉位置で処理室を加熱し、予め処理室内に配置した 金属蒸発材料を蒸発させて金属蒸気雰囲気を形成し、遮蔽手段を開位置に移動し て、搬送手段によって準備室内の被成膜物を処理室に移動させ、処理室内と被成膜 物との温度差によって、被成膜物の表面に前記金属蒸発材料を選択的に付着堆積 させるように構成したことを特徴とする成膜装置。

[4] 前記処理室は、他の真空排気手段を設けた真空チャンバ内に配置され、一面が開 口するように形成した均熱板で画成され、この開口面を除くこの均熱板の周囲を囲う ように断熱材を設けると共に、均熱板と断熱材との間に加熱手段を設け、加熱手段に よって均熱板を加熱するようにしたものであることを特徴とする請求項 3記載の成膜装 置。

[5] 前記準備室に不活性ガスの導入を可能とするガス導入手段を設け、このガス導入手 段を介して準備室内に不活性ガスを導入して、処理室が準備室に対して負圧になる ようにしたことを特徴とする請求項 3または請求項 4記載の成膜装置。

[6] 前記準備室に Heガスの導入を可能とするガス導入手段を設け、このガス導入手段を 介して準備室内に Heガスを導入して、処理室が準備室に対して略同圧になるように したことを特徴とする請求項 3または請求項 4記載の成膜装置。

[7] 前記処理室を前記準備室の下方に配置したことを特徴とする請求項 6記載の成膜装 置。

[8] 前記処理室内での金属蒸発材料の配置を可能とする配置手段を設け、搬送手段に よって被処理物を処理室に移動させたとき、被成膜物の周囲を囲って金属蒸発材料 が配置されるように、配置手段を環状に形成したことを特徴とする請求項 3乃至請求 項 7のレ、ずれかに記載の成膜装置。

[9] 前記準備室にプラズマ発生手段を設け、プラズマによる被成膜物表面のクリーニング を可能としたことを特徴とする請求項 3乃至請求項 8のいずれかに記載の成膜装置。

[10] 前記準備室に他の加熱手段を設け、真空雰囲気またはこの準備室に接続したガス 導入手段から不活性ガスを導入して、熱処理による被成膜物表面のクリーニングを 可能としたことを特徴とする請求項 3乃至請求項 9のいずれかに記載の成膜装置。

[11] 前記金属蒸発材料は、 Dy、 Tbのいずれか一方または Dy、 Tbの少なくとも一方を含 有する合金であり、被成膜物が所定形状を有する鉄ホウ素希土類系の焼結磁 石であることを特徴とする請求項 3乃至請求項 10のいずれかに記載の成膜装置。

[12] 所定形状を有する鉄ホウ素希土類系の磁石の表面に、 Dy、 Tbの少なくとも一 方を含有する金属蒸発材料を成膜する成膜工程と、所定温度下で熱処理を施して 表面に成膜した前記金属蒸発材料を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させる拡散工程 とを含む永久磁石の製造方法であって、前記成膜工程は、この成膜工程を実施する 処理室を加熱し、この処理室内に予め配置した前記金属蒸発材料を蒸発させて金 属蒸気雰囲気を処理室内に形成する第一工程と、処理室内の温度より低く保持した 磁石をこの処理室に搬入し、この磁石が所定温度に達するまでに、処理室内と磁石 との間の温度差によって磁石表面に前記金属蒸発材料を選択的に付着堆積させる 第二工程とを含むことを特徴とする永久磁石の製造方法。

[13] 前記金属蒸気雰囲気が、前記処理室内で飽和状態であることを特徴とする請求項 1 2記載の永久磁石の製造方法。

[14] 前記金属蒸発材料は、 Nd、 Pr、 Al、 Cu、 Ga、 Taのうち少なくとも 1種類をさらに含有 することを特徴とする請求項 12または請求項 13記載の永久磁石の製造方法。

[15] 前記第二工程において、前記磁石の所定温度を、 250°C以下または 450°C以上とし たことを特徴とする請求項 12乃至請求項 14のいずれかに記載の永久磁石の製造方 法。

[16] 処理室内の温度より低く保持した磁石を処理室に搬入するのに先立って、この磁石 の表面を真空雰囲気内でクリーニングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項

12乃至請求項 15のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。

[17] 前記第一工程において、処理室内の温度を 1000°C〜: 1700°Cの範囲に設定するこ とを特徴とする請求項 12乃至請求項 16のいずれかに記載の永久磁石の製造方法。

[18] 前記成膜工程において、処理室内に配置される金属蒸発材料の粒径が 10〜: 1000 z mの範囲であることを特徴とする請求項 12乃至請求項 17のいずれかに記載の永 久磁石の製造方法。

[19] 所定形状を有する鉄一ホウ素一希土類系の磁石を有し、この磁石表面に、 Dy、 Tb の少なくとも一方を含有する金属蒸発材料を蒸発させて金属蒸気雰囲気を処理室 内に形成し、処理室内の温度より低く保持した磁石をこの処理室に搬入して、この磁 石が所定温度に達するまでに、処理室内と磁石との間の温度差によって磁石表面に 前記金属蒸発材料を選択的に付着堆積させた後、熱処理を施して磁石表面の Dy、 Tbの少なくとも一方を磁石の結晶粒界相に拡散させてなることを特徴とする永久磁 石。

[20] 前記磁石の表面、結晶粒界に、 Dy、 Tbの少なくとも一方を含有するリッチ相を有す ることを特徴とする請求項 19記載の永久磁石。

[21] 前記磁石の表面が前記リッチ相で覆われ、結晶粒界に、前記リッチ相を 1〜50%の 範囲で含むことを特徴とする請求項 19または請求項 20記載の永久磁石。