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1. WO2006100816 - SUBSTRATE HAVING SELF-ASSEMBLY MATERIAL ARRANGED THEREON AND PROCESS FOR PRODUCTION OF THE SAME

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ JA ]

請求の範囲

[1] 基板上に自己組織ィ匕材料を配列させる方法であって、

該基板上に疎水性部位を設ける工程;

該基板上に親水性部位を設ける工程;

該基板上に該自己組織ィ匕材料を含む溶液を提供する工程;および

該基板上に提供された溶液を乾燥させる工程

を包含する、方法。

[2] 前記自己組織化材料が、核酸、タンパク質、アミノ酸、脂質または糖である、請求項 1に記載の方法。

[3] 前記基板が金属酸化物を含む、請求項 1に記載の方法。

[4] 前記金属酸化物が、 Al 2 O 3、 ZnO、 TiO 2、 SiO 2、 ZrO 2、 SrTiO 2、 LaAlO 3、 Y 2 O 3

、 MgO、 GGG、 YIG、 LiTaO、 LiNbO、 KTaO 3、 KNbO 3または NdGaO 3である、 請求項 3に記載の方法。

[5] 前記疎水性部位がシランカップリング剤によって設けられる、請求項 3に記載の方 法。

[6] 前記シランカップリング剤は、トリメトキシプロビルシラン、プチルトリメトキシシラン、 へキシルトリメトキシシラン、ォクチルトリメトキシシラン、デカニルトリメトキシシラン、トリ エトキシプロビルシラン、ブチルトリエトキシシラン、へキシルトリエトキシシラン、ォクチ ルトリエトキシシランまたはデカニルトリエトキシシランである、請求項 5に記載の方法

[7] 前記親水性部位が光照射によって設けられる、請求項 5に記載の方法。

[8] 前記光照射を行う前に光透過性を有さな、物質を用いて前記疎水性部位を予め 被覆する、請求項 7に記載の方法。

[9] 前記乾燥させる工程を、乾燥した不活性ガスまたは空気を吹き付けることによって 行う、請求項 1に記載の方法。

[10] 基板上に微粒子を配列させる方法であって、

該基板上に疎水性部位を設ける工程;

該基板上に親水性部位を設ける工程;

該基板上に自己組織化材料を含む溶液を提供する工程;

該基板上に提供された溶液を乾燥させる工程;

該基板上にさらに微粒子含有溶液を提供する工程;および

該基板上に提供された微粒子含有溶液を乾燥させる工程

を包含する、方法。

[11] 基板上に微粒子を配列させる方法であって、

該基板上に疎水性部位を設ける工程;

該基板上に親水性部位を設ける工程;

該微粒子を含む溶液を、自己組織化材料を含む溶液と混合して混合溶液を得る 工程;

該基板上に該混合溶液を提供する工程;および

該基板上に提供された混合溶液を乾燥させる工程

を包含する、方法。

[12] 前記自己組織化材料が、核酸、タンパク質、アミノ酸、脂質または糖である、請求項

10または 11に記載の方法。

[13] 前記基板が金属酸化物を含む、請求項 10または 11に記載の方法。

[14] 前記金属酸化物が、 Al 2 O 3、 ZnO、 TiO 2、 SiO 2、 ZrO 2、 SrTiO 2、 LaAlO 3、 Y 2 O 3

、 MgO、 GGG、 YIG、 LiTaO、 LiNbO、 KTaO 3、 KNbO 3または NdGaO 3である、 請求項 13に記載の方法。

[15] 前記疎水性部位がシランカップリング剤によって設けられる、請求項 13に記載の方 法。

[16] 前記シランカップリング剤は、トリメトキシプロビルシラン、プチルトリメトキシシラン、 へキシルトリメトキシシラン、ォクチルトリメトキシシラン、デカニルトリメトキシシラン、トリ エトキシプロビルシラン、ブチルトリエトキシシラン、へキシルトリエトキシシラン、ォクチ ルトリエトキシシランまたはデカニルトリエトキシシランである、請求項 15に記載の方法

[17] 前記親水性部位が光照射によって設けられる、請求項 15に記載の方法。

[18] 前記光照射を行う前に光透過性を有さない物質を用いて前記疎水性部位を予め

被覆する、請求項 17に記載の方法。

[19] 前記微粒子が、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニ ゥム、ニッケル、コノレト、インジウム、銅、 TiO 2、または BaTiO 3からなる、請求項 10 または 11に記載の方法。

[20] 前記微粒子の粒経が、 lnm〜100nmの範囲内である、請求項 10または 11に記 載の方法。

[21] 前記乾燥させる工程を、乾燥した不活性ガスまたは空気を吹き付けることによって 行う、請求項 10または 11に記載の方法。

[22] 親水性部位および疎水性部位が表面上に設けられておりかつ自己組織化材料が 該親水性部位または疎水性部位の、ずれか一方を架橋して配列されて、る、基板。

[23] 前記自己組織化材料が、核酸、タンパク質、アミノ酸、脂質または糖である、請求項

22に記載の基板。

[24] 前記疎水性部位は飽和炭化水素基が導入された金属酸ィ匕物である、請求項 22に 記載の基板。

[25] 前記親水性部位は水酸基が導入された金属酸ィ匕物である、請求項 22に記載の基 板。

[26] 前記金属酸化物が、 Al 2 O 3、 ZnO、 TiO 2、 SiO 2、 ZrO 2、 SrTiO 2、 LaAlO 3、 Y 2 O 3

、 MgO、 GGG、 YIG、 LiTaO、 LiNbO、 KTaO 3、 KNbO 3または NdGaO 3である、 請求項 24または 25に記載の基板。

[27] 前記自己組織化材料が微粒子を担持して!/ヽる、請求項 22に記載の基板。

[28] 前記微粒子が、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニ ゥム、ニッケル、コノレト、インジウム、銅、 TiO 2、または BaTiO 3からなる、請求項 27 に記載の基板。

[29] 前記微粒子の粒経が、 Inn!〜 lOOnmの範囲内である、請求項 27に記載の基板。