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1. WO2006095112 - NANOMETRIC MOS TRANSISTOR WITH MAXIMIZED RATIO BETWEEN ON-STATE CURRENT AND OFF-STATE CURRENT

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ FR ]

REVENDICATIONS

1. Transistor MOS dont la longueur de grille est inférieure à deux fois la longueur d'onde de de Broglie des porteurs de charge dans le matériau du canal, caractérisé en ce que la section de la région de canal (3) est réduite au voisinage de la région de drain (8) selon au moins une dimension à une valeur (e2) inférieure à la moitié de ladite longueur d ' onde .
2. Transistor selon la revendication 1, dans lequel la région de canal, au moins, est comprise entre deux isolants.
3. Transistor selon la revendication 1, dans lequel le transistor est constitué d'une couche mince de semi-conducteur formée sur un isolant .
4. Transistor selon la revendication 1, constitué en ce qui concerne sa partie semi-conductrice d'un fil ou nanotube.
5. Transistor selon la revendication 1, formé dans un pont semi-conducteur.
6. Transistor selon la revendication 1, dans lequel la longueur de grille est inférieure à la longueur d'onde de de Broglie.
7. Transistor selon la revendication 1, formé dans une couche mince de silicium, la longueur de grille étant inférieure à 20 nm, et l'épaisseur de la couche de silicium au niveau du rétrécissement étant inférieure à 3 nm.
8. Transistor selon la revendication 7, dans lequel la longueur de grille est inférieure à 10 nm.