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1. (WO2006091588) ETCHING CHAMBER WITH SUBCHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/091588    International Application No.:    PCT/US2006/006090
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 22.02.2006
IPC:
C23F 1/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: XACTIX, INC. [US/US]; 2403 Sidney Street, Suite 300, Pittsburgh, Pennsylvania 15203 (US) (For All Designated States Except US).
LEBOUITZ, Kyle, S. [US/US]; (US) (For US Only).
HINDS, Edward, F. [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: LEBOUITZ, Kyle, S.; (US).
HINDS, Edward, F.; (GB)
Agent: NOTZEN, Randall, A.; The Webb Law Firm, 700 Koppers Building, 436 Seventh Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15219 (US)
Priority Data:
60/655,094 22.02.2005 US
Title (EN) ETCHING CHAMBER WITH SUBCHAMBER
(FR) CHAMBRE DE GRAVURE COMPORTANT UNE CHAMBRE SECONDAIRE
Abstract: front page image
(EN)In an apparatus for etching a semiconductor wafer or sample (101), the semiconductor wafer or sample is placed on a sample holder (104) disposed in a first chamber (103). The combination of the semiconductor wafer or sample and the sample holder is enclosed within a second chamber (130) inside the first chamber. Gas is evacuated from the second chamber and an etching gas is introduced into the second chamber, but not into the first chamber, to etch the semiconductor wafer or sample.
(FR)Dans un appareil servant à graver une tranche de semi-conducteurs ou un échantillon, la tranche des semi-conducteurs ou l'échantillon est placé(e) sur un porte-échantillon disposé dans une première chambre. la combinaison de la tranche de semi-conducteurs ou de l'échantillon et du porte-échantillon est comprise dans une chambre secondaire située à l'intérieur de la première chambre. Le gaz est évacué de la seconde chambre et un gaz de gravure est introduit dans la seconde chambre, mais pas dans la première chambre, afin de graver la tranche de semi-conducteurs ou l'échantillon.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)