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1. (WO2006091434) METHOD OF FABRICATION A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE WITH OXIDE SIDEWALL SPACERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/091434    International Application No.:    PCT/US2006/005195
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 15.02.2006
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US) (For All Designated States Except US).
LARSEN, Bradley, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LARSEN, Bradley, J.; (US)
Agent: HOIRIIS, David; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Priority Data:
11/064,556 24.02.2005 US
Title (EN) METHOD OF FABRICATION A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE WITH OXIDE SIDEWALL SPACERS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ISOLATION PAR TRANCHEES PEU PROFONDES POURVUE D'ENTRETOISES LATERALES D'OXYDE
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating oxide spacers a shallow trench isolation (STI) structure with active edge isolation and increased radiation hardening is presented. The invention comprises forming a pad oxide layer on a substrate. Then a masking layer is formed on the pad oxide and is patterned to define the STI structure trench and spacer locations. A conformal layer of oxide is deposited and is formed into oxide spacers (105) which extend over the active edge of the substrate. The STI structure trench is then etched and a liner oxide (107) is formed on the walls of the trench. The trench is then filled with a delectric material (104) to form a central oxide region. The central oxide region and oxide spacers are then etched to a desired height and planarized. Finally, the masking layer and portions of the pad oxide layer are then removed .
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'isolation par tranchées peu profondes (STI) pourvue d'entretoises d'oxyde par isolement de flanc actif et renforcement aux radiations accru. Selon l'invention, une couche d'oxyde tampon est d'abord formée sur un substrat. Une couche de masquage est ensuite formée sur l'oxyde tampon. Des motifs sont reproduits sur l'oxyde tampon pour créer les emplacements des entretoises et la tranchée de la structure STI. Un revêtement conforme d'oxyde est déposé et formé dans les entretoises d'oxyde (105) lesquels s'étendent au-delà du flanc actif du substrat. La tranchée de la structure STI est ensuite gravée et un oxyde linéaire (107) est formé sur les parois de la tranchée. La tranchée est remplie d'un matériau diélectrique (104) pour obtenir une région centrale d'oxyde. La région centrale d'oxyde et les entretoises d'oxyde sont alors gravées selon la hauteur recherchée, puis planarisées. Enfin, la couche de masquage et certaines parties de la couche d'oxyde tampon sont retirées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)