WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006091288) METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN OPTICAL DEVICE AND STRUCTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/091288    International Application No.:    PCT/US2006/001381
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 17.01.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (For All Designated States Except US).
JONES, Robert, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JONES, Robert, E.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, Md:pl02, Austin, Texas 78729 (US)
Priority Data:
11/065,324 24.02.2005 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN OPTICAL DEVICE AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET D'UN DISPOSITIF OPTIQUE ET LEUR STRUCTURE
Abstract: front page image
(EN)An integration process where a first semiconductor protective layer (32) and a second semiconductor protective layer (44) are formed to protect the first (16) and second (42) semiconductor materials, respectfully, during processing to form an optical device, such as a photodetector, and a transistor on the same semiconductor. The first semiconductor protective layer protects the semiconductor substrate during formation of the second semiconductor layer, and the second semiconductor layer protects the second semiconductor material during subsequent processing of the first semiconductor. In one embodiment, the first semiconductor includes silicon and the second semiconductor material include germanium.
(FR)L'invention concerne un procédé d'intégration, selon lequel une première couche protectrice semi-conductrice (32) et une deuxième couche protectrice semiconductrice (44) sont formées pour protéger respectivement la première matière semi-conductrice (16) et la deuxième matière semi-conductrice (42) pendant la formation d'un dispositif optique, tel qu'un photodétector, et d'un transistor sur ce même semi-conducteur. La première couche protectrice semi-conductrice protège le substrat semi-conducteur pendant la formation de la deuxième couche semi-conductrice, et la deuxième couche semi-conductrice protège la deuxième matière semi-conductrice pendant le traitement consécutif du premier semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, la première matière semi-conductrice contient du silicium et la deuxième matière semi-conductrice contient du germanium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)