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1. (WO2006091108) A MEMORY DEVICE AND METHODS FOR OPERATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/091108    International Application No.:    PCT/NO2006/000072
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 23.02.2006
Chapter 2 Demand Filed:    20.09.2006    
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 11/22 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: THIN FILM ELECTRONICS ASA [NO/NO]; P.O. Box 1872 Vika, N-0124 Oslo (NO) (For All Designated States Except US).
ENGQUIST, Isak [SE/SE]; (SE) (For US Only).
NORDAL, Per-Erik [NO/NO]; (NO) (For US Only).
GUDESEN, Hans Gude [NO/BE]; (BE) (For US Only).
DYREKLEV, Peter [SE/SE]; (SE) (For US Only).
GUSTAFSSON, Göran [SE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: ENGQUIST, Isak; (SE).
NORDAL, Per-Erik; (NO).
GUDESEN, Hans Gude; (BE).
DYREKLEV, Peter; (SE).
GUSTAFSSON, Göran; (SE)
Common
Representative:
LEISTAD, Geirr, I.; THIN FILM ELECTRONICS ASA, P.O. Box 1872 Vika, N-0124 Oslo (NO)
Priority Data:
20050967 23.02.2005 NO
Title (EN) A MEMORY DEVICE AND METHODS FOR OPERATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF MEMOIRE ET LEURS PROCEDES DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)In a memory device comprising one or more electret or ferroelectric memory cells, the memory cells are provided with multibit storage capacity by being made with a plurality of spatially defined regions of different coercive voltages and/or sizes. In a method for writing data to a memory cell of this kind, a sequence of voltage pulses of different values is used to enable a successive writing of each region with respective different polarization values. In a first readout method from a memory cell of this kind, a similar sequence of voltage pulses is used, but in reversed order enabling a successive readout of each region. In a second readout method a linear voltage ramp is applied to the memory cell and a resulting output current response is monitored. In a third readout method a write operation is used to switch all regions, followed by a readout operation similar to either the first or second readout method. In a fourth readout method a sequence of voltage ramps or voltage pulses of different values is used and output current responses recorded to provide a unique signature of the memory cell based on both the stored data and the dynamic response characteristics.
(FR)Dans le dispositif mémoire de la présente invention, comprenant un ou plusieurs électrets ou cellules de mémoire ferroélectriques, les cellules mémoire sont dotées d'une capacité de stockage de plusieurs bits, du fait qu'elles sont réalisées avec une pluralité de régions spécialement définies de tensions et/ou de tailles de coercition différentes. Dans un procédé pour écrire des données sur une cellule mémoire de ce type, une suite d'impulsions de tension de valeurs différentes est utilisée pour permettre l'écriture successive de chaque région avec des valeurs de polarisation différentes respectives. Dans un premier procédé de lecture d'une cellule mémoire de ce type, une suite similaire d'impulsions de tension est utilisée mais dans un ordre inverse, ce qui permet une lecture successive de chaque région. Dans un deuxième procédé de lecture, une rampe de tensions linéaires est appliquée à la cellule mémoire ; la réponse du courant de sortie en résultant est surveillée. Dans un troisième procédé de lecture, une opération d'écriture est utilisée pour commuter toutes les régions, elle est suivie d'une opération de lecture similaire à la première ou à la deuxième. Dans un quatrième procédé de lecture, une suite de rampes de tensions ou d'impulsions de tension de valeurs différentes est utilisée et les réponses du courant de sortie sont enregistrées pour apporter une signature unique de la cellule de mémoire, en fonction des données stockées et des caractéristiques de réponse dynamique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)