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1. (WO2006090994) SOLAR CELL HAVING SILICON-GERMANIUM JUNCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090994    International Application No.:    PCT/KR2006/000568
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 20.02.2006
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Byoung, Su [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Se, Jung [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Byoung, Su; (KR).
OH, Se, Jung; (KR)
Agent: LEE, Cheol, Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0015513 24.02.2005 KR
Title (EN) SOLAR CELL HAVING SILICON-GERMANIUM JUNCTION
(FR) BATTERIE SOLAIRE A JONCTION SILICIUM-GERMANIUM
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is a solar cell having improved sensitivity by absorbing light that has been not absorbed by a conventional silicon-based solar cell. The solar cell of this invention includes a first conductive silicon substrate, a second conductive germanium layer formed through crystal growth on the first conductive silicon substrate, and a first conductive silicon layer formed through epitaxial growth on the second conductive germanium layer. According to this invention, incident light entering the solar cell is absorbed by the upper silicon layer, while light that is not absorbed by the upper silicon layer is absorbed by the germanium layer having excellent sensitivity in the visible light range at least hundreds of times as great as that of Si. Thereby, light absorption efficiency may be more improved, compared to that of a solar cell using only silicon, and long-wavelength light, which is not absorbed by silicon, may be absorbed.
(FR)La présente invention a trait à une batterie solaire présentant une sensibilité améliorée grâce à l'absorption de la lumière qui n'a pas été absorbée par une batterie solaire classique à base de silicium. La batterie solaire de la présente invention comporte un premier substrat de silicium conducteur, une deuxième couche conductrice de germanium formée par le tirage d'un cristal sur le premier substrat de silicium conducteur, et une première couche conductrice de silicium formée par croissance épitaxiale sur la deuxième couche conductrice de germanium. Selon la présente invention, la lumière incidente pénétrant dans la batterie solaire est absorbée par la couche de silicium supérieure, tandis que la lumière qui n'est pas absorbée par la couche de silicium supérieure est absorbée par la couche de germanium ayant une excellente sensibilité dans la plage de la lumière visible au moins des centaines de fois supérieure par rapport à celle d'une batterie solaire n'utilisant que du silicium, et la lumière de grande longueur d'onde, qui n'est pas absorbée par le silicium, peut être absorbée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)