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1. (WO2006090993) IMAGE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090993    International Application No.:    PCT/KR2006/000567
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 20.02.2006
IPC:
H01L 27/14 (2006.01)
Applicants: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Byoung Su [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Se Jung [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Byoung Su; (KR).
OH, Se Jung; (KR)
Agent: LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0015490 24.02.2005 KR
Title (EN) IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGES
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is an image sensor having a photodiode based on germanium, which has higher sensitivity than image sensors using photodiodes based on silicon, and is manufactured to be small. The image sensor of this invention includes a first conductive silicon substrate having a recess of a predetermined depth, a second conductive doped germanium layer formed through crystal growth in the recess of the first conductive silicon substrate, a first conductive doped silicon layer formed on the first conductive silicon substrate and the second conductive doped germanium layer, second conductive doped silicon layers formed through a doping process to a predetermined depth of the first conductive silicon substrate via the first conductive doped silicon layer, an insulating film layer formed on the first conductive doped silicon layer and the second conductive doped silicon layers, and gate electrodes formed on the insulating film layer. According to this invention, the photodiode using germanium is applied, and thus sensitivity is improved hundreds of times as great as that of a silicon-based device. As well, a silicon substrate is used, whereby considerable portions of conventional silicon-based manufacturing processes may be applied without change.
(FR)La présente invention a trait à un capteur d'images comportant une photodiode à base de germanium présentant une sensibilité supérieure aux capteurs d'images utilisant des photodiodes à base de silicium, et construit pour être de taille réduite. Le capteur d'images de la présente invention comporte un premier substrat de silicium conducteur comprenant un évidement d'une profondeur prédéterminée, une deuxième couche conductrice de germanium dopée formée par le tirage d'un cristal dans l'évidement du premier substrat de silicium conducteur, une première couche conductrice de silicium dopée formée sur le premier substrat de silicium conducteur et la deuxième couche conductrice de germanium dopée, des deuxièmes couches conductrices de silicium dopées formées grâce à un procédé de dopage à une profondeur prédéterminée du premier substrat de silicium conducteur via la première couche conductrice de silicium dopée, une couche de film d'isolation formée sur la première couche conductrice de silicium dopée et les deuxièmes couches conductrices de silicium dopées, et des électrodes de grille formées sur la couche de film d'isolation. Selon la présente invention, la photodiode utilisant du germanium est appliquée, et ainsi la sensibilité est améliorée plusieurs centaines de fois par rapport à un dispositif à base de silicium. En outre, un substrat de silicium est utilisé, permettant ainsi l'application de larges tranches des procédés de fabrication à base de silicium classiques sans aucune modification.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)