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1. (WO2006090992) METHOD OF MANUFACTURING PHOTODIODE FOR IMAGE SENSOR AND PHOTODIODE MANUFACTURED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090992    International Application No.:    PCT/KR2006/000566
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 20.02.2006
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Byoung Su [KR/KR]; (KR) (For US Only).
OH, Se Jung [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Byoung Su; (KR).
OH, Se Jung; (KR)
Agent: LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0015487 24.02.2005 KR
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING PHOTODIODE FOR IMAGE SENSOR AND PHOTODIODE MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PHOTODIODE POUR UN CAPTEUR D'IMAGE, ET PHOTODIODE PRODUITE AU MOYEN DE CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a photodiode for an image sensor which can drastically improve sensitivity compared to silicon-based devices and is advantageous for miniaturization, and a photodiode manufactured thereby. The method of this invention includes (a) applying a photoresist onto a silicon substrate; (b) forming a recess of a predetermined depth in the silicon substrate through exposure and etching; (c) forming a germanium layer in the recess of the silicon substrate formed in step (b); and (d) subjecting the germanium layer formed in step (c) to crystal growth. According to the method of this invention, even though the germanium layer is formed to be thin on the silicon substrate, since germanium has high light absorption efficiency, superior light intensity properties may be exhibited to those of image sensors based on silicon, resulting in sufficiently absorbed light. Further, small image sensors may be manufactured in this invention.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une photodiode pour un capteur d'image. Un capteur pourvu de cette photodiode présente une sensibilité significativement supérieure à celle de capteurs dont les photodiodes sont à base de silicium. En outre, la photodiode selon l'invention peut être miniaturisée de manière avantageuse. La présente invention se rapporte en outre à une photodiode produite au moyen dudit procédé. Ce procédé comprend les étapes qui consistent : (a) à appliquer un photorésist sur un substrat en silicium ; (b) à former un évidement d'une profondeur prédéterminée dans le substrat de silicium par exposition ou attaque ; (c) à former une couche de germanium dans l'évidement ménagé dans le substrat de silicium au cours de l'étape (b), et ; (d) à soumettre la couche de germanium formée au cours de l'étape (c) à un processus de croissance de cristaux. Selon ledit procédé, les propriétés d'intensité lumineuse de capteurs pourvus de photodiodes selon l'invention sont supérieures à celles de capteurs dont les photodiodes sont à base de silicium, et la lumière est de ce fait suffisamment absorbée, même si la couche de germanium formée sur le substrat de silicium est fine, puisque le germanium présente une efficacité d'absorption lumineuse élevée. Des capteurs d'image de petites dimensions peuvent être produits au moyen dudit procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)