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1. (WO2006090787) ION IMPLANTATION DEVICE CONTROL METHOD, CONTROL SYSTEM THEREOF, CONTROL PROGRAM THEREOF, AND ION IMPLANTATION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090787    International Application No.:    PCT/JP2006/303300
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 23.02.2006
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
OGATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOO, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAKI, Masasumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OGATA, Seiji; (JP).
YOKOO, Hidekazu; (JP).
ARAKI, Masasumi; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Priority Data:
2005-048584 24.02.2005 JP
Title (EN) ION IMPLANTATION DEVICE CONTROL METHOD, CONTROL SYSTEM THEREOF, CONTROL PROGRAM THEREOF, AND ION IMPLANTATION DEVICE
(FR) PROCEDE DE CONTROLE D'UN DISPOSITIF D'IMPLANTATION D'IONS, SYSTEME ET PROGRAMME DE COMMANDE ASSOCIES ET DISPOSITIF D'IMPLANTATION D'IONS
(JA) イオン注入装置の制御方法、その制御システム、その制御プログラムおよびイオン注入装置
Abstract: front page image
(EN)It is possible to obtain an operation condition of an ion implantation device in a short time. There is provided an ion implantation device control method for applying an ion beam emitted from an ion source (12) to a material to be treated (W) via an optical element. The method includes a step for measuring the ion beam spatial distribution in the vicinity of the material to be treated (W), a step for estimating the emittance as a spatial and an angle distribution of the ion beam in the ion source from the measured spatial distribution by using the ion beam orbit calculation method, a step for calculating the operation condition of the optical element so that the ion beam in the vicinity of the material to be treated has a desired spatial distribution by using the estimated emittance and the orbit calculation method, and a step for operating the ion implantation device by using the calculated operation condition of the optical element.
(FR)La présente invention permet d'obtenir une condition de fonctionnement pour un dispositif d'implantation d'ions en un laps de temps réduit. Elle décrit un procédé de contrôle d'un dispositif d'implantation d'ions permettant d'appliquer un faisceau d'ions émis par une source d'ions (12) sur un matériau à traiter (W) via un élément optique. Le procédé passe par une étape de mesure de la distribution spatiale du faisceau d'ions au voisinage du matériau à traiter (W), une étape d'estimation de l'émittance au plan spatial et d'une distribution angulaire du faisceau d'ions dans la source d'ions à partir de la distribution spatiale mesurée à l'aide du procédé de calcul de l'orbite du faisceau d'ions, une étape de calcul de la condition de fonctionnement de l'élément optique pour que le faisceau d'ions au voisinage du matériau à traiter ait une distribution spatiale souhaitée en utilisant l'émittance estimée et le procédé de calcul de l'orbite, enfin une étape de fonctionnement du dispositif d'implantation d'ions en utilisant la condition de fonctionnement calculée de l'élément optique.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)