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1. (WO2006090571) LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090571    International Application No.:    PCT/JP2006/301968
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 06.02.2006
IPC:
H01L 33/42 (2010.01)
Applicants: Konica Minolta Opto, Inc. [JP/JP]; 2970, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928505 (JP) (For All Designated States Except US).
NABETA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WAKAMATSU, Hideaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NABETA, Hiroyuki; (JP).
WAKAMATSU, Hideaki; (JP)
Priority Data:
2005-045851 22.02.2005 JP
Title (EN) LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 発光ダイオードとその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A light emitting diode wherein a thick film of a transparent electrode is formed on an emitting side of a GaN semiconductor light emitting element and a light emitting efficiency of the GaN semiconductor light emitting element is improved. A light emitting diode manufacturing method by which the thick film of the transparent electrode of the light emitting diode can be efficiently formed is also provided. The light emitting diode which emits light in the blue or ultraviolet region is provided with at least an n-type GaN semiconductor layer and a p-type GaN semiconductor layer on a substrate, and a light emitting layer composed of a GaN semiconductor sandwiched by such layers. A transparent conductive film having a thickness of 1-100μm is provided on the light emitting layer.
(FR)L’invention concerne une diode électroluminescente dans laquelle un épais film d’électrode transparente est formé sur un côté émetteur d’un élément électroluminescent semi-conducteur GaN, et l’efficacité luminescente de l’élément électroluminescent semi-conducteur GaN est améliorée. Elle concerne également un procédé de fabrication de diode électroluminescente permettant de constituer de manière efficace l’épais film de l’électrode transparente de la diode électroluminescente. La diode électroluminescente qui émet de la lumière dans la région bleue ou ultraviolette est pourvue d’au moins une couche semi-conductrice GaN de type n et d’une couche semi-conductrice GaN de type p sur un substrat, et une couche luminescente composée d’un semi-conducteur GaN prise en sandwich par lesdites couches. Un film conducteur transparent d’une épaisseur de 1 à 100µm est disposé sur la couche luminescente.
(JA)本発明は、GaN系半導体発光素子の出射側に厚膜の透明電極を形成し、GaN系半導体発光素子の発光効率を向上させた発光ダイオードを提供する。また、発光ダイオードの透明電極膜を効率よく厚膜に形成できる発光ダイオードの製造方法を提供する。 青または紫外領域に発光する発光ダイオードであって、基板上に少なくともn型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層と、それらに挟まれたGaN系半導体からなる発光層を形成し、その上に膜厚が1~100μmである透明導電膜が設けられている発光ダイオード。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)