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1. (WO2006090565) METHOD FOR DRIVING SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090565    International Application No.:    PCT/JP2006/301856
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 03.02.2006
IPC:
H04N 5/335 (2011.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIMOTO, Hisato; (For US Only).
UETA, Atsushi; (For US Only).
NEZAKI, Shinsuke; (For US Only)
Inventors: ISHIMOTO, Hisato; .
UETA, Atsushi; .
NEZAKI, Shinsuke;
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan 2-1, Toyosaki 3-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5310072 (JP)
Priority Data:
2005-045042 22.02.2005 JP
Title (EN) METHOD FOR DRIVING SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) PROCEDE DE COMMANDE D'UN IMAGEUR A SEMI-CONDUCTEURS ET IMAGEUR A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像装置
Abstract: front page image
(EN)In a MOS type solid-state image pickup device, in an nth row pixel cell, a reset pulse to be inputted to a gate electrode of a reset transistor is permitted to be at a potential (Hi) to reset a signal charge held in a charge holding section (305). In such status, when a reference voltage source (VDDCELL) is permitted to be at a potential (Lo), the reset pulse (n) becomes closer to the potential (Lo) by a coupling capacitor (308). Then, after the reset pulse (n) is returned to the potential (Hi), the reset pulse (n) is permitted to be at the potential (Lo).
(FR)Dans un imageur à semi-conducteurs de type MOS, dans une cellule de pixels à n rangées, une impulsion de remise à zéro devant être entrée dans une électrode grille d'un transistor de remise à zéro peut se situer à un potentiel (Hi) de manière à remettre à zéro une charge de signal dans une section de maintien de charge (305). Dans cet état, lorsqu'une source de tension de référence (VDDCELL) est possible à un potentiel (Lo), la tension d'impulsion (n) est approchée du potentiel (Lo) au moyen d'un condensateur de couplage (308). Une fois que la tension d'impulsion (n) est renvoyée au potentiel (Hi), la tension d'impulsion peut se situer au niveau du potentiel (Lo).
(JA) MOS型の固体撮像装置において、n行目の画素セルにおいて、電荷保持部305に保持されている信号電荷をリセットするために、リセットトランジスタのゲート電極に入力されるリセットパルスをHi電位にする。この状態で、基準電圧源VDDCELLをLo電位にするとカップリング容量308によりリセットパルスnがLo電位に近づく。その後、リセットパルスnがHi電位に復帰した後、リセットパルスnをLo電位にする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)