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1. (WO2006090492) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090492    International Application No.:    PCT/JP2005/013363
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 21.07.2005
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/361 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/376 (2011.01), H04N 101/00 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
INAGAKI, Makoto; (For US Only).
MATSUNAGA, Yoshiyuki; (For US Only)
Inventors: INAGAKI, Makoto; .
MATSUNAGA, Yoshiyuki;
Agent: OGASAWARA, Shiro; Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor 1-23-101, Esakacho, Suita-shi Osaka 5640063 (JP)
Priority Data:
2005-051513 25.02.2005 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME
(FR) CAPTEUR D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET MÉTHODE POUR PILOTER CELUI-CI
(JA) 固体撮像装置およびその駆動方法
Abstract: front page image
(EN)During an exposure interval of a long duration imaging mode (a long duration storage interval), a second reference voltage (Vss2), which is different from a first reference voltage (Vss1) (ground voltage) serving as the reference voltage of peripheral circuits, is applied to a well (5), in which a photoelectric conversion part (2) and a drain region (4) are formed, thereby suppressing occurrence of dark electrons on the surface of the well (5) under a gate electrode (6). It is arranged that the polarity of the second reference voltage (Vss2) be pulse when the conductivity of the well (5) is of P-type and that the polarity of the second reference voltage (Vss2) be minus when the conductivity of the well (5) is of N-type.
(FR)Selon l’invention pendant l’intervalle d’exposition d’un mode imagerie longue durée (intervalle de stockage longue durée), une deuxième tension de référence (Vss2), différente d’une première tension de référence (Vss1) (potentiel de la masse) servant de tension de référence de circuits périphériques, est appliquée à un puits (5) dans lequel sont formées une partie conversion photoélectrique (2) et une région drain (4), supprimant ainsi l’occurrence d’électrons d’obscurité à la surface du puits (5) sous une électrode de grille (6). Il est prévu que la polarité de la deuxième tension de référence (Vss2) soit positive lorsque la conductivité du puits (5) est de type P et que la polarité de la deuxième tension de référence (Vss2) soit négative lorsque la conductivité du puits (5) est de type N.
(JA) 長秒撮影モードの露光期間(長秒蓄積期間)内に、周辺回路の基準電圧である第1の基準電圧Vss1(接地電圧)とは異なる第2の基準電圧Vss2を、光電変換部(2)とドレイン領域(4)とが形成されているウェル(5)に印加することによって、ゲート電極(6)下のウェル(5)表面での暗電子の発生を抑制する。第2の基準電圧Vss2の極性は、ウェル(5)の導電型がP型であるときはプラス、N型であるときはマイナスとする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)