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1. (WO2006090458) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090458    International Application No.:    PCT/JP2005/003024
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 24.02.2005
Chapter 2 Demand Filed:    22.12.2006    
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, P.O.Box 3453, Sunnyvale California 940883453 (US) (For All Designated States Except US).
Spansion Japan Limited [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (For All Designated States Except US).
HAYAKAWA, Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAYAKAWA, Yukio; (JP)
Agent: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITF A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device is provided with an ONO film (17) formed on a semiconductor substrate (15), a first gate (14) formed on the ONO film, a source (10) and a drain (12) formed on a side section which the first gate faces, and a second gate (16). The second gate is a side gate formed on the side sections other than the side section which the first gate faces. Thus, a desired circuit characteristic can be obtained by a nondestructive means in a nonvolatile manner, and a number of trial manufactures for IC development can be reduced.
(FR)La présente invention décrit un dispositif à semiconducteur fourni avec un film ONO (17) formé sur un substrat à semi-conducteur (15), une première porte (14) formée sur le film ONO, une source (10) et un drain (12) formé sur une section latérale face à la première porte, et une seconde porte (16). La seconde porte est une porte latérale formée sur les sections latérales autres que la section latérale face à la première porte. Ainsi, une caractéristique souhaitée du circuit peut être obtenue par un moyen non destructif d’une façon non volatile, et il est possible de réduire le nombre de fabrications d’essai pour le développement du CI.
(JA) 本発明の半導体装置は、半導体基板(15)上に形成されたONO膜(17)と、該ONO膜上に形成された第1のゲート(14)と、該第1のゲートの対向する側部に形成されたソース(10)およびドレイン(12)と、第2のゲート(16)とを有し、該第2のゲートは前記1ゲートの前記対向する側部以外の側部に形成されたサイドゲートである半導体装置である。これにより、非破壊的な手段で不揮発的に、所望の回路特性を得ることができ、IC開発のための試作回数を減らすことが可能な半導体装置を提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)