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1. (WO2006090034) METHOD FOR MAKING A DISMOUNTABLE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/090034    International Application No.:    PCT/FR2005/050994
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 25.11.2005
Chapter 2 Demand Filed:    27.09.2006    
IPC:
C30B 33/02 (2006.01), C30B 31/22 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant D", F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
TAUZIN, Aurélie [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: TAUZIN, Aurélie; (FR).
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle; (FR)
Agent: LEHU, Jean; Brevatome, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR).
AHNER, Philippe; c/o Brevatome, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
0452796 29.11.2004 FR
Title (EN) METHOD FOR MAKING A DISMOUNTABLE SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT DEMONTABLE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for producing a growth mask on the surface of an initial crystalline substrate (1) including the following steps: forming a second material layer (2) on one of the sides of the first material initial substrate (1); forming a pattern in the thickness of the second material layer (2) so as to expose zones of said side of the initial substrate, said zones forming growth windows on the initial substrate. Said method is characterized in that the formation of the pattern is obtained by ionic implantation provided in the surface layer of the initial substrate underlying the second material layer, the conditions of implantation being such that they bring about, directly or following heat treatment, on said side of the initial substrate, the occurrence of exfoliated zones (5) of first material causing the localized removal of second material zones covering the exfoliated zones of first material, thereby locally exposing the initial substrate and forming growth windows (6) on the initial substrate. The invention also concerns methods for producing a thin crystalline layer and transferring said thin layer on a receiving substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de réalisation d'un masque de croissance a la surface d'un substrat initial (1) cristallin, comprenant les étapes suivantes: - formation d'une couche de deuxième matériau (2) sur une des faces du substrat initial (1) de premier matériau, - formation d'un motif dans l'épaisseur de la couche de deuxième matériau (2) de manière à exposer des zones de ladite face du substrat initial, ces zones formant des fenêtres de croissance sur le substrat initial, le procédé étant caractérisé initial, le procédé étant caractérisé en ce que la formation du motif est obtenue par implantation ionique réalisée dans la couche superficielle du substrat initial sous-jacente à la couche de deuxième matériau, les conditions d'implantation étant telles qu'elles provoquent, directement ou suite à un traitement thermique, sur ladite face du substrat initial, l'apparition de zones exfoliées (5) de premier matériau entraînant le retrait localisé des zones de deuxième matériau recouvrant les zones exfoliées de premier matériau, exposant ainsi localement le substrat initial et formant les fenêtres de croissance (6) sur le substrat initial. L'invention concerne aussi des procédés de réalisation d'une couche mince cristalline et de report de cette couche mince sur un substrat de réception.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)