WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006089938) SEMICONDUCTING BISMUTH SULPHIDES HAVING NEW COMBINATIONS OF PROPERTIES AND USE THEREOF IN THERMOELECTRICS AND PHOTOVOLTAICS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/089938    International Application No.:    PCT/EP2006/060238
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 23.02.2006
IPC:
C01G 29/00 (2006.01), H01L 35/16 (2006.01), D06F 58/00 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: BASF AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (For All Designated States Except US).
STERZEL, Hans-Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: STERZEL, Hans-Josef; (DE)
Common
Representative:
BASF AKTIENGESELLSCHAFT; 67056 Ludwigshafen (DE)
Priority Data:
10 2005 008 865.1 24.02.2005 DE
Title (DE) HALBLEITENDE BISMUTSULFIDE MIT NEUEN EIGENSCHAFTSKOMBINATIONEN UND DEREN VERWENDUNG IN DER THERMOELEKTRIK UND PHOTOVOLTAIK
(EN) SEMICONDUCTING BISMUTH SULPHIDES HAVING NEW COMBINATIONS OF PROPERTIES AND USE THEREOF IN THERMOELECTRICS AND PHOTOVOLTAICS
(FR) SULFURES DE BISMUTH SEMI-CONDUCTEURS AUX NOUVELLES COMBINAISONS DE PROPRIETES ET LEUR UTILISATION DANS LES DOMAINES THERMOELECTRIQUE ET PHOTOVOLTAIQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft modifizierte Bismutsulfide, die eine Zusammensetzung gemäß der folgenden allgemeinen Formel (1) BixEySzMgu (1 ) aufweisen, wobei E Germanium und/oder Silizium bedeutet und die Indizes x, y, z und u einem der folgenden Werte entsprechen: x = 1 ,9 bis 2,1 , y = 0,001 bis 0,08, z = 2,95 bis 3,05, u = 0 bis 2y, und ein Halbleitermaterial, enthaltend diese modifizierten Bismutsulfide, sowie die Verwendung eines solchen Halbleitermaterials in thermoelektrischen Modulen und photovoltaischen Zellen oder Modulen.
(EN)The invention relates to modified bismuth sulphides having a composition in accordance with the following general formula (1) BixEySzMgu (1 ), where E is germanium and/or silicon and the indices x, y, z and u correspond to one of the following values: x = 1.9 to 2.1, y = 0.001 to 0.08, z = 2.95 to 3.05, u = 0 to 2y, and to a semiconductor material comprising these modified bismuth sulphides, and also to the use of such a semiconductor material in thermoelectric modules and photovoltaic cells or modules.
(FR)L'invention concerne des sulfures de bismuth modifiés ayant une composition conforme à la formule générale suivante (1) BixEySzMgu (1 ), E représentant du germanium et/ou du silicium et les indices x, y, z et u ayant les valeurs suivantes: x = 1,9 à 2,1, y = 0,001 à 0,08, z = 2,95 à 3,05, u = 0 à 2y. L'invention concerne également un matériau semi-conducteur contenant ces sulfures de bismuth modifiés ainsi que l'utilisation d'un tel matériau semi-conducteur dans des modules thermoélectriques et des piles photovoltaïques ou des modules.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)