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1. (WO2006089447) METHOD OF FABRICATING AN IMAGE SENSOR DEVICE WITH REDUCED PIXEL CROSS-TALK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/089447    International Application No.:    PCT/CH2006/000112
Publication Date: 31.08.2006 International Filing Date: 22.02.2006
IPC:
H01L 27/142 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: UNAXIS BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT [LI/LI]; FL-9496 Balzers (LI) (For All Designated States Except US).
CHEVRIER, Jean-Baptiste [FR/FR]; (FR) (For US Only).
SALASCA, Olivier [FR/FR]; (FR) (For US Only).
TURLOT, Emmanuel [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: CHEVRIER, Jean-Baptiste; (FR).
SALASCA, Olivier; (FR).
TURLOT, Emmanuel; (FR)
Agent: ROSHARDT, Werner, A.; Keller & Partner Patentanwälte AG, Schmiedenplatz 5, Postfach, CH-3000 Bern 7 (CH)
Priority Data:
60/657,128 28.02.2005 US
Title (EN) METHOD OF FABRICATING AN IMAGE SENSOR DEVICE WITH REDUCED PIXEL CROSS-TALK
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF CAPTEUR D’IMAGE AVEC DIAPHONIE DE PIXEL RÉDUITE
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating an image sensor device (5) transferring an intensity of radiation (1) into an electrical current (i-i, ª2) depending on said intensity, comprising the following steps in a vacuum deposition device: Depositing onto a dielectric, insulating surface a matrix of electrically conducting pads (7a, 7b) as rear electrical contacts, plasma assisted exposing said surface with pads to a donor delivering gas without adding a silicon containing gas, depositing a layer (15) of intrinsic silicon from a silicon delivering gas depositing a doped layer (17) and arranging an electrically conductive layer (19) transparent for said radiation (1) as a front contact. The method of fabricating an image-sensor-device and the image-sensor-device are avoiding disadvantages of the prior art. This means the image-sensor-device of the invention has a good ohmic contact, a low dark-current, no pixel-cross-talk and a reproducible fabrication-process.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif capteur d’image (5) consistant à transférer une intensité de radiation (1) dans un courant électrique (i-i, ª2) selon ladite intensité, comprenant les phases suivantes dans un dispositif de déposition sous vide : déposition sur une surface diélectrique isolante d’une matrice de patins électriquement conducteurs (7a, 7b) sous forme de contacts électriques arrière, exposition assistée au plasma de ladite surface avec des patins à un donneur fournissant un gaz sans ajouter de gaz contenant du silicium, déposition d’une couche (15) de silicium intrinsèque à partir d’un gaz donneur de silicium déposant une couche dopée (17) et disposition d’une couche électriquement conductrice (19) transparente pour ladite radiation (1) comme contact avant. Le procédé de fabrication d’un dispositif capteur d’image et le dispositif capteur d’image évitent les inconvénients de l’art antérieur. Cela signifie que le dispositif capteur d’image de l’invention présente un bon contact ohmique, un faible courant noir, aucune diaphonie de pixel et un processus de fabrication reproductible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)