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1. (WO2006089313) REGISTER READ FOR VOLATILE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/089313    International Application No.:    PCT/US2006/006995
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 03.02.2006
IPC:
G11C 7/10 (2006.01), G11C 5/00 (2006.01), G11C 11/406 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121 (US) (For All Designated States Except US).
WALKER, Robert, Michael [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WALKER, Robert, Michael; (US)
Agent: WADSWORTH, Philip, R.; 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121 (US)
Priority Data:
60/653,020 14.02.2005 US
11/128,829 13.05.2005 US
Title (EN) REGISTER READ FOR VOLATILE MEMORY
(FR) LECTURE D'ENREGISTREUR POUR MEMOIRE VOLATILE
Abstract: front page image
(EN)Data not stored in the DRAM array (104) of a SDRAM module (100) is read from the SDRAM module in a synchronous data transfer. The data transfer, referred to as register read command/operation, resembles a read command/operation directed to data stored in the DRAM array in timing and operation. The register read command is distinguished by a unique encoding of the SDRAM control signals and bank address bits. In one embodiment, the register read command comprises the same control signal states as a MRS or EMRS command, with the bank address set to a unique value, such as 2'b10. The register read command may read only a single datum, or may utilize the address bus to address a plurality of data not stored in the DRAM array. The register read operation may be a burst read, and the burst length may be defined in a variety of ways .
(FR)Selon la présente invention, des données non stockées dans le réseau DRAM d'un module DRAM synchrone sont lues dudit module dans un transfert de données synchrone. Ce transfert de données, mentionné comme commande/opération de lecture d'enregistreur, ressemble à une commande/opération de lecture dirigée vers des données stockées dans le réseau DRAM lors de la synchronisation et de l'opération. La commande de lecture de l'enregistreur se distingue par un codage unique des signaux de contrôle de DRAM synchrone et des bits d'adresse de banque. Dans un mode de réalisation, la commande de lecture d'enregistreur comprend les mêmes états de signaux de contrôle, comme la commande de groupe d'enregistreurs de mode (MSR) ou de groupe d'enregistreurs de mode étendu (EMSR), l'adresse de banque étant fixée à une valeur unique, telle que 2'b10. Cette commande de lecture de l'enregistreur peut lire uniquement une seule donnée ou utiliser le bus d'adresse pour adresser une pluralité de données stockées dans le réseau DRAM. L'opération de lecture de l'enregistreur peut constituer une lecture par rafale et la longueur de la rafale peut être définie de diverses façons.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)