WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006089040) SELECTIVELY CONDUCTIVE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/089040    International Application No.:    PCT/US2006/005503
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 16.02.2006
IPC:
G01R 33/02 (2006.01), G01R 33/12 (2006.01)
Applicants: THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK AT BUFFALO [US/US]; STOR Intellectual Property Division, UB Technology Incubator, Suite 111, Amherst, New York 14228-2567 (US) (For All Designated States Except US).
CHOPRA, Harsh, Deep [IN/US]; (US) (For US Only).
HUA, Zonglu [US/US]; (US) (For US Only).
SULLIVAN, Matthew, R. [US/US]; (US) (For US Only).
ARMSTRONG, Jason, N. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHOPRA, Harsh, Deep; (US).
HUA, Zonglu; (US).
SULLIVAN, Matthew, R.; (US).
ARMSTRONG, Jason, N.; (US)
Agent: ROBERTS, R., Kent; Hodgson Russ LLP, The Guaranty Building, 140 Pearl Street, Suite 100, Buffalo, New York 14202-4040 (US)
Priority Data:
60/653,331 16.02.2005 US
60/692,653 20.06.2005 US
Title (EN) SELECTIVELY CONDUCTIVE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE À CONDUCTIVITÉ SÉLECTIVE
Abstract: front page image
(EN)The invention includes a conductor (13) with a first side (16) and a second side (19). The conductor (13) may be sized to have a cros section diameter substantially similar to a Fermi wavelength of electrons in the conductor, the cross-section diameter being taken substantially perpendicular to a primary direction in which current could flow (28) through the conductor (13). The conductor size be selected so that when a magnetic field less than a threshold value is applied to the conductor (13), the first side (16) of the conductor has a first magnetic state and the second side (19) of the conductor has a second magnetic state. However, when a magnetic field of sufficient strength is applied to the magnetic conductor (13) the first side (16) and the second side (19) will be caused to have the same magnetic state. The material of the conductor (13) may be selected from those for which magnetoresistance magnitude of the material oscillates as a function of the material's cross-sectional area, and the cross-sectional area of the conductor may be selected to correspond to a peak of the function.
(FR)La présente invention a trait à un conducteur présentant une première face et une deuxième face. Le conducteur peut être dimensionné pour avoir un diamètre de section transversale sensiblement identique à une longueur d'onde de Fermi d'électrons dans le conducteur, le diamètre de section transversale étant pris sensiblement perpendiculaire à une direction primaire dans laquelle le courant circule à travers le conducteur. La taille du conducteur peut être choisie de sorte que lors de l'application d'un champ magnétique inférieur à un seuil au conducteur, la première face du conducteur présente un état magnétique et la deuxième face du conducteur présente un deuxième état magnétique. Cependant, lors de l'application d'un champ magnétique d'intensité suffisante au conducteur magnétique, la première face et la deuxième face seront amenées à présenter le même état magnétique. Le matériau du conducteur peut être choisi parmi ceux pour lesquels la grandeur de résistance magnétique du matériau vibre en fonction de la section du matériau, et la section du conducteur peut être choisie pour correspondre à un pic de la fonction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)