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1. (WO2006088766) HIGHLY CONDUCTIVE SHALLOW JUNCTION FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088766    International Application No.:    PCT/US2006/004913
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 13.02.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
KOHLI, Puneet [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KOHLI, Puneet; (US)
Agent: FRANZ, Warren, L.; TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, DEPUTY GENERAL PATENT COUNSEL, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US)
Priority Data:
11/057,509 14.02.2005 US
Title (EN) HIGHLY CONDUCTIVE SHALLOW JUNCTION FORMATION
(FR) FORMATION DE JONCTION MINCE FORTEMENT CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(EN)A method (100) of forming a shallow junction semiconductor device comprises forming source/drain extension regions with a non-amorphizing tail implant (105) which is annealed (spike/RTP) and amorphizing implant which is re-grown epitaxially(SPER) (110). The non-amorphizing tail implant is generally annealed (106) before a doped amorphous layer for SPE is formed (107). SPE provides a high active dopant concentration in a shallow layer. The non-amorphizing tail implant (105) expands the source/drain extension region beyond the range dictated by the SPE-formed layer and keeps the depletion region of the P-N junction away from where end-of-range defects form during the SPE process. Thus, the SPE-formed layer primarily determines the conductivity of the junction while the tail implant determines the location of the depletion region. End-of-range defects form, but are not in a position to cause significant reverse
(FR)L'invention concerne un procédé (100) de formation d'un dispositif semi-conducteur à jonction mince, qui comporte les étapes consistant à: former des régions de prolongement source/drain comportant un implant (105) de queue non amorphisant qui est recuit (recuit d'activation/RTP), et un implant amorphisant obtenu par recroissance épitaxiale (SPER) (110). L'implant de queue non amorphisant est généralement recuit (106) avant la formation (107) d'une couche amorphe dopée pour le recuit SPE. Le recuit SPE produit une concentration élevée de dopant actif dans la couche mince. L'implant (105) de queue non amorphisant accroît la région de prolongement source/drain au-delà de la plage imposée par la couche formée par le recuit SPE, et maintient la région d'appauvrissement de la jonction P-N éloignée de l'endroit où se forment les défauts de fin de plage pendant le processus SPE. La couche formée par le recuit SPE détermine ainsi essentiellement la conductivité de la jonction, alors que l'implant de queue détermine l'emplacement de la région d'appauvrissement. Des défauts de fin de plage se forment, mais pas en des points entraînant une fuite de polarisation inverse importante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)