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1. (WO2006088709) THIN FILM RESISTORS WITH CURRENT DENSITY ENHANCING LAYER (CDEL)
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088709    International Application No.:    PCT/US2006/004436
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 08.02.2006
IPC:
H01C 1/012 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
CHINTHAKINDI, Anil, K. [IN/US]; (US) (For US Only).
ESHUN, Ebenezer, E. [GN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHINTHAKINDI, Anil, K.; (US).
ESHUN, Ebenezer, E.; (US)
Agent: JAKLITSCH, Lisa, U.; International Business Machines Corporation, 2070 Route 52 M/D 482, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
10/906,365 16.02.2005 US
Title (EN) THIN FILM RESISTORS WITH CURRENT DENSITY ENHANCING LAYER (CDEL)
(FR) RESISTANCES A COUCHES MINCES AVEC COUCHE D'AMELIORATION DE DENSITE DE COURANT (CDEL)
Abstract: front page image
(EN)A thin film resistor device and method of manufacture includes a layer of a thin film conductor material (20) and a current density enhancing layer (CDEL). The CDEL is an insulator material adapted to adhere to the thin film conductor material (20) and enables the said thin film resistor to carry higher current densities with reduced shift in resistance. In one embodiment, the thin film resistor device includes a single CDEL layer (50) formed on one side (atop or underneath) the thin film conductor material (20). In a second embodiment, two CDEL layers are formed on both sides (atop and underneath) of the thin film conductor material (20). The resistor device may be manufactured as part of both BEOL and FEOL rocesses.
(FR)L'invention concerne un dispositif à résistance à couches minces et son procédé de fabrication. Ce dispositif comprend une couche d'un matériau conducteur en couche mince (20) et une couche d'amélioration de densité de courant (CDEL). La couche CDEL est un matériau isolant conçu pour adhérer au matériau conducteur en couche mince (20) et permet à la résistance à couches minces de supporter des densités de courant supérieures avec un décalage de résistance réduit. Dans un mode de réalisation, le dispositif à résistance à couches minces comprend une couche CDEL unique (50) formée sur un côté (en dessus ou en dessous) du matériau conducteur en couche mince (20). Dans un second mode de réalisation, deux couches CDEL sont formées sur les deux côtés (en dessus et en dessous) du matériau conducteur en couche mince (20). Ce dispositif à résistance peut être fabriqué dans le cadre d'opérations BEOL et FEOL.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)