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1. (WO2006088430) NONVOLATILE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC OXIDE NANODOTS ON SILICON DIOXIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088430    International Application No.:    PCT/SG2005/000046
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 17.02.2005
Chapter 2 Demand Filed:    18.12.2006    
IPC:
G11C 11/34 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE [SG/SG]; 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260 (SG) (For All Designated States Except US).
CHEN, Jinghao [CN/SG]; (SG) (For US Only).
YOO, Wong, Jong [US/SG]; (SG) (For US Only).
CHAN, Siu Hung, Daniel [GB/SG]; (SG) (For US Only)
Inventors: CHEN, Jinghao; (SG).
YOO, Wong, Jong; (SG).
CHAN, Siu Hung, Daniel; (SG)
Agent: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; P.O. Box 1088, Rochor Post Office, Rochor Road, Singapore 911833 (SG)
Priority Data:
Title (EN) NONVOLATILE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC OXIDE NANODOTS ON SILICON DIOXIDE
(FR) MEMOIRE FLASH NON VOLATILE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE NANOPOINTS D'OXYDE DIELECTRIQUES SUR DU DIOXYDE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of producing dielectric oxide nanodots (104) embedded in silicon dioxide as well as a nonvolatile flash memory device comprising a trapping layer (224), the trapping layer (224) comprising dielectric oxide nanodots (104) embedded in silicon dioxide are presented. Firstly an ultra-thin metal film is deposited over a first dielectric layer including silicon dioxide provided on a substrate. Then, the ultra-thin metal film is annealed for forming metallic nanodots (104) on the first dielectric layer. Afterwards, the metallic nanodots (104) are annealed for forming dielectric oxide nanodots (104) on the first dielectric layer. Finally, the first dielectric layer and the dielectric oxide nanodots (104) are covered with a second dielectric layer of silicon dioxide for forming dielectric oxide nanodots (104) embedded in silicon dioxide.
(FR)La présente invention décrit un procédé de production de nanopoints d'oxyde diélectrique (104) intégrés dans un dioxyde de silicium, ainsi qu'un dispositif de mémoire Flash non volatile comprenant une couche de piégeage (224), laquelle comprend des nanopoints d'oxyde diélectrique (104) intégrés dans du dioxyde de silicium. Tout d'abord, un film métallique ultra-mince est déposé sur une première couche diélectrique comprenant du dioxyde de silicium placé sur un substrat. Le film métallique ultra-mince est ensuite fusionné pour former des nanopoints métalliques (104) sur la première couche diélectrique. Les nanopoints métalliques (104) sont ensuite fusionnés pour former des nanopoints d'oxyde diélectrique (104) sur la première couche diélectrique. Enfin, la première couche diélectrique et les nanopoints d'oxyde diélectriques (104) sont recouverts d'une seconde couche diélectrique de dioxyde de silicium, afin de former des nanopoints d'oxyde diélectriques (104) intégrés dans du dioxyde de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)