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1. (WO2006088180) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088180    International Application No.:    PCT/JP2006/302948
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 20.02.2006
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), C09J 133/00 (2006.01), C09J 161/04 (2006.01), C09J 163/00 (2006.01), H01L 21/50 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP) (For All Designated States Except US).
MISUMI, Sadahito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMURA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MISUMI, Sadahito; (JP).
MATSUMURA, Takeshi; (JP)
Agent: SUZUKI, Takao; SHIN-OSAKA MT Bldg. 13-9, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku Osaka-shi Osaka 532-0011 (JP)
Priority Data:
2005-044042 21.02.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method wherein manufacturing steps are simplified, while improving yield by preventing wire bonding failure due to bonding pad contamination and preventing bonding bodies such as a substrate, a lead frame and a semiconductor element from warping. An adhesive sheet used in such method and a semiconductor device obtained by such method are also provided. The method is characterized in that it is provided with a temporarily bonding step of temporarily bonding a semiconductor element (13) on a body (11) whereupon the semiconductor element is to be bonded through an adhesive sheet (12), and a wire bonding step of performing wire boding within a bonding temperature range of 80-250°C without a heating step. The method is also characterized in that an adhesive sheet having a storage elastic modulus of 1MPa or more prior to hardening within a temperature range of 80-250°C or 1MPa or more at a discretionary temperature within the temperature range is used as the adhesive sheet (12).
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur dans lequel les phases de fabrication sont simplifiées, tout en améliorant la productivité et en empêchant les défauts de liaison filaire dus à une contamination des patins de liaison et en prévenant le gauchissement de corps de liaison comme un substrat, un cadre de connexion et un élément semi-conducteur. Elle concerne également une feuille adhésive utilisée dans ledit procédé et un dispositif semi-conducteur obtenu grâce audit procédé. Le procédé est caractérisé en ce qu’il consiste en une phase de liaison temporaire consistant à lier de manière temporaire un élément semi-conducteur (13) sur un corps (11) dans laquelle l’élément semi-conducteur est lié par le biais d’une feuille adhésive (12), et une phase de liaison filaire consistant à réaliser une liaison filaire dans une plage de températures de liaison de 80 à 250°C sans phase de chauffage. Le procédé est également caractérisé en ce qu’une feuille adhésive ayant un module d’élasticité de stockage supérieur ou égal à 1MPa avant durcissement dans une plage de températures de 80 à 250°C ou bien supérieur ou égal à 1MPa à une température discrétionnaire dans la plage de températures, sert de feuille adhésive (12).
(JA) ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。本発明は、半導体素子13を被着体11上に接着シート12を介して仮固着する仮固着工程と、加熱工程を経ることなく、接合温度80~250°Cの範囲でワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有し、前記接着シート12として、硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上のものを使用することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)