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1. (WO2006088166) SEMICONDUCTOR OXIDATION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088166    International Application No.:    PCT/JP2006/302898
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 13.02.2006
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1438555 (JP) (For All Designated States Except US).
SATO, Shunichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JIKUTANI, Naoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOH, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UMEMOTO, Shinya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ZENNO, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Takatoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATO, Shunichi; (JP).
JIKUTANI, Naoto; (JP).
ITOH, Akihiro; (JP).
UMEMOTO, Shinya; (JP).
ZENNO, Yoshiaki; (JP).
YAMAMOTO, Takatoshi; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Priority Data:
2005-037805 15.02.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR OXIDATION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) APPAREIL D'OXYDATION A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION D'ELEMENT A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor oxidation apparatus is provided with a sealable oxidation chamber defined by walls, a base provided within the oxidation chamber and configured to support a semiconductor sample, a supply part configured to supply water vapor into the oxidation chamber to oxidize a specific portion of the semiconductor sample, a monitoring window provided in one of the walls of the oxidation chamber and disposed at a position capable of confronting the semiconductor sample supported on the base, a monitoring part provided outside the oxidation chamber and capable of confronting the semiconductor sample supported on the base via the monitoring window, and an adjusting part configured to adjust a distance between the base and the monitoring part.
(FR)La présente invention décrit un appareil d'oxydation à semi-conducteur, doté d'une chambre d'oxydation pouvant être scellée et définie par des parois, une base prévue dans la chambre d'oxydation configurée pour supporter un échantillon semi-conducteur, une partie d'alimentation configurée pour apporter de la vapeur d'eau dans la chambre d'oxydation et oxyder une partie spécifique de l'échantillon semi-conducteur, une fenêtre de surveillance prévue dans l'une des parois de la chambre d'oxydation et disposée à une position capable de faire face à l'échantillon semi-conducteur supporté sur la base, une partie de surveillance prévue en dehors de la chambre d'oxydation et pouvant faire face à l'échantillon semi-conducteur soutenu sur la base grâce à la fenêtre de surveillance, ainsi qu'une partie d'ajustement configurée pour ajuster une distance entre la base et la partie de surveillance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)