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Pub. No.:    WO/2006/088046    International Application No.:    PCT/JP2006/302632
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 15.02.2006
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Applicants: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
ITO, Norikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUTSUMI, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SONOBE, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAI, Mitsuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAGUCHI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ITO, Norikazu; (JP).
TSUTSUMI, Kazuaki; (JP).
NISHIDA, Toshio; (JP).
SONOBE, Masayuki; (JP).
SAKAI, Mitsuhiko; (JP).
YAMAGUCHI, Atsushi; (JP)
Agent: KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima 4-chome Yodogawa-ku Osaka-shi Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2005-038752 16.02.2005 JP
(JA) 半導体発光素子
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting element exhibiting excellent reliability in which deterioration of a semiconductor layer is prevented and the semiconductor layer is not broken easily even when a reverse direction voltage is applied or even in long time operation. On the surface of a substrate (1), a semiconductor multilayer portion (6), which is composed of a nitride semiconductor and includes a first conductivity type layer (p-type layer (5)) and a second conductivity type layer (n-type layer (3)), is formed, a p-side electrode (8) is provided thereon while being connected electrically with a translucent conductive layer (7) and the p-type layer (5), and an n-side electrode (9) is provided while being connected electrically with an n-type layer (3) on the lower layer side of the semiconductor multilayer portion (6). A mesa-like semiconductor multilayer portion (6a) is formed by removing the semiconductor multilayer portion (6) around the chip by etching, and the mesa-like semiconductor multilayer portion (6a) is etched such that a corner part has curved line, not having an angle of 90° or less in the planar shape.
(FR)L’invention concerne un élément luminescent semi-conducteur de nitrure d’une excellente fiabilité dans lequel on empêche toute détérioration d’une couche semi-conductrice et dans lequel la couche semi-conductrice n’est pas rompue facilement même si l’on applique une tension de direction inverse ou même dans le cadre d’une exploitation prolongée. A la surface d’un substrat (1), une portion multicouche semi-conductrice (6), qui est composée d’un semi-conducteur de nitrure et inclut une couche de premier type de conductivité (couche de type p (5)) et une couche de second type de conductivité (couche de type n (3)), est formée, une électrode côté p (8) est disposée sur celle-ci tout en étant connectée électriquement à une couche conductrice transparente (7) et à la couche de type p (5), et une électrode côté n (9) est disposée tout en étant connectée électriquement à une couche de type n (3) sur le côté couche inférieure de la portion multicouche semi-conductrice (6). Une portion multicouche semi-conductrice de type mésa (6a) est formée en enlevant la portion multicouche semi-conductrice (6) autour de la puce par attaque chimique, et la portion multicouche semi-conductrice de type mésa (6a) subit une attaque chimique de sorte qu’une partie en coin possède une ligne incurvée, sans angle inférieur ou égal à 90° dans le plan.
(JA) 窒化物半導体を用いた発光素子において、半導体層の劣化を防止し、逆方向電圧の印加や長時間動作に対しても半導体層が破壊し難く、かつ、信頼性の優れた窒化物半導体発光素子を提供する。  基板1の表面に、窒化物半導体からなり第1導電形層(p形層5)および第2導電形層(n形層3)を含む半導体積層部6が形成され、その上に透光性導電層7およびp形層5に電気的に接続してp側電極8が設けられ、半導体積層部6の下層側のn形層3に電気的に接続してn側電極9が設けられている。このチップ周囲の半導体積層部6がエッチングにより除去されることにより、メサ状半導体積層部6aが形成され、そのメサ状半導体積層部6aが、平面形状で90°以下の角部を有しないで、そのコーナー部が曲線になるようにエッチングされている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)