WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006088037) SILICON CASTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/088037    International Application No.:    PCT/JP2006/302604
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 15.02.2006
IPC:
C01B 33/02 (2006.01), B22D 11/00 (2006.01), B22D 11/01 (2006.01), B22D 11/124 (2006.01), B22D 21/00 (2006.01), B22D 25/04 (2006.01), B22D 45/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SUMCO SOLAR CORPORATION [JP/JP]; 260-100 Funoo, Kainan-shi, Wakayama 6420001 (JP) (For All Designated States Except US).
KANEKO, Kyojiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANEKO, Kyojiro; (JP)
Agent: MORI, Michio; M. Mori Patent Office Amagasaki Building 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome, Amagasaki-shi Hyogo 660-0892 (JP)
Priority Data:
2005-040236 17.02.2005 JP
Title (EN) SILICON CASTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE COULAGE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE SILICUM
(JA) シリコン鋳造装置およびシリコン基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Heating means and cooling means are disposed alternately or heating means and insulating means are disposed alternately along the pulling down direction of solidified silicon when silicon is cast by an electromagnetic induction method to thereby make the temperature control of heating means easy and effectively impart temperature gradient to a silicon ingot to be solidified, whereby it is possible to constantly retain the shape at an solid-liquid interface of molten silicon and cast an silicon ingot reduced in residual strain and residual stress. In addition, productivity per casting device can be enhanced by increasing a casting speed. A solar cell-use silicon substrate excellent in photoelectric conversion efficiency can be obtained by cutting it out from the above silicon ingot reduced in residual strain and residual stress. The above arrangement can be widely applied to the production of a solar cell-use polycrystalline silicon ingot.
(FR)Selon l’invention, des moyens de chauffage et des moyens de refroidissement sont disposés de manière alternée ou bien des moyens de chauffage et des moyens isolants sont disposés de manière alternée le long de la direction de traction descendante de silicium solidifié lors du coulage de silicium selon un procédé d’induction électromagnétique pour ainsi faciliter le contrôle de la température des moyens de chauffage et imprimer de manière efficace un gradient de température à un lingot de silicium à solidifier, et il est ainsi possible de conserver de manière constante la forme au niveau d’une interface solide/liquide de silicium fondu et de couler un lingot de silicium de contrainte résiduelle et d'effort résiduel moindres. De plus, on peut augmenter la productivité par dispositif de coulage en accélérant le coulage. On peut obtenir un substrat de silicium pour une utilisation dans une cellule solaire excellent en matière d’efficacité de conversion photoélectrique en le découpant dans le lingot de silicium ci-dessus de contrainte résiduelle et d'effort résiduel moindres. La disposition ci-dessus peut être largement appliquée à la production d’un lingot de silicium polycristallin pour une utilisation dans une cellule solaire.
(JA) 電磁誘導によるシリコンの鋳造に際し、凝固シリコンの引き下げ方向に沿って加熱手段と冷却手段とを交互に配置し、または加熱手段と断熱手段とを交互に配置することにより、加熱手段の温度制御が容易となり、凝固するシリコンインゴットに温度勾配を有効に付与することができるので、溶融シリコンの固液界面における形状を安定して保持することが可能であり、残留歪および残留応力を減少させたシリコンインゴットを鋳造することができる。さらに、鋳造速度を高めて鋳造装置当たりの生産性を向上させることができる。また、上記残留歪および残留応力を減少させたシリコンインゴットから切り出すことにより、光電変換効率に優れる太陽電池用シリコン基板を得ることができる。これにより、太陽電池用の多結晶シリコンインゴットの製造に広く適用することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)