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1. (WO2006087958) NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/087958    International Application No.:    PCT/JP2006/302179
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 08.02.2006
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome Minato-ku, Tokyo 108-0014 (JP) (For All Designated States Except US).
KIYOMI, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIE, Hideyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIWATARI, Toshio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIYOMI, Kazumasa; (JP).
HORIE, Hideyoshi; (JP).
ISHIWATARI, Toshio; (JP).
FUJIMURA, Isao; (JP)
Agent: SIKs & Co.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
2005-080384 21.02.2005 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
(JA) 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor material wherein a first nitride semiconductor layer group is provided on a semiconductor substrate or a dielectric substrate is characterized in that a surface of the first nitride semiconductor group has an RMS of 5nm or less, an X-ray half width fluctuation within ±30%, a surface light reflectivity of 15% or more and its fluctuation at ±10% or less, and a thickness of the first nitride semiconductor group is 25μm or more. The nitride semiconductor material has excellent uniformity and stability, is manufactured at a low manufacturing cost and is useful as a substrate for nitride semiconductor devices.
(FR)La présente invention concerne un matériau semi-conducteur dans lequel un premier groupe de couches semi-conductrices de nitrure se trouve sur un substrat semi-conducteur ou un substrat diélectrique, caractérisé en ce qu’une surface du premier groupe semi-conducteur en nitrure présente une SRM inférieure ou égale à 5 nm, une fluctuation de demi-largeur de rayons X de ±30 %, une réflectivité de la lumière sur la surface supérieure ou égale à 15 %, sa fluctuation étant inférieure ou égale à ±10 %, et une épaisseur du premier groupe semi-conducteur en nitrure supérieure ou égale à 25 µm. Le matériau semi-conducteur en nitrure présente une uniformité et une stabilité excellentes, des coûts de fabrication peu élevés et est utile en tant que substrat pour des dispositifs semi-conducteurs en nitrure.
(JA) 半導体または誘電体基板上に、第一窒化物半導体層群を有する窒化物半導体材料であって、前記第一窒化物半導体層群の表面は、RMSが5nm以下であり、X線の半値幅の変動が±30%以内であり、表面の光の反射率は15%以上であり、その変動は±10%以下であり、且つ、前記第一窒化物半導体層群の厚みが25μm以上であることを特徴とする窒化物半導体材料。この窒化物半導体材料は、均一性や安定性に優れており、製造コストが安く、窒化物半導体系デバイス用基板として有用である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)