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Pub. No.:    WO/2006/087822    International Application No.:    PCT/JP2005/002837
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 16.02.2005
Chapter 2 Demand Filed:    13.07.2005    
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8280 (JP) (For All Designated States Except US).
USAMI, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: USAMI, Mitsuo; (JP)
Agent: INOUE, Manabu; c/o Hitachi, Ltd. 6-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8220 (JP)
Priority Data:
(JA) 電子タグチップ
Abstract: front page image
(EN)It is necessary to reduce power consumption of an electronic tag chip to expand a communication distance of the electronic tag chip. A capacitor and a diode are formed in an SOI (Silicon On Insulator), and a silicon substrate of the SOI is removed. Since a capacitance of the electronic tag chip and a parasitic capacitance between a ground of the diode can be reduced, power consumption of the electronic tag chip is reduced and the communication distance of the electronic tag chip can be expanded.
(FR)L'invention repose sur la nécessité de réduire la consommation énergétique d'une puce d'étiquette électronique dans le but d'allonger la distance de communication par rapport à la puce d'étiquette électronique. Un condensateur et une diode sont formés dans un SOI (silicium sur isolant), et le substrat silicium du SOI est enlevé. Etant donné qu'il est possible de réduire la capacité d'une puce d'étiquette électronique et la capacité parasite entre la masse de la diode, on obtient une réduction de la consommation énergétique de la puce d'étiquette électronique ainsi qu'un allongement de la distance de communication par rapport à la puce d'étiquette électronique.
(JA)電子タグチップの通信距離を拡大するためには、電子タグチップの消費電力を低減する必要がある。SOI(Silicon on Insulator)に容量およびダイオードを形成して、SOIのシリコン基板を除去する。電子タグチップの容量およびダイオードのグランドとの寄生容量を低減することが可能となり、電子タグチップの消費電力を低減し、電子タグチップの通信距離を拡大することが可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)