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Pub. No.:    WO/2006/087786    International Application No.:    PCT/JP2005/002456
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 17.02.2005
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
IWATA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMINAGA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAZUMI, Kimikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IWATA, Takaaki; (JP).
TOMINAGA, Hisashi; (JP).
HAZUMI, Kimikazu; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Shogo; c/o Mitsubishi Denki Kabushiki kaisha Corporate Intellectual Property Division 7-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Priority Data:
(JA) 太陽電池の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A solar cell manufacturing method wherein manufacturing equipment whose maintenance is easy can be used and a solar cell which does not easily generate electrical leakage is generated. In the solar cell manufacturing method, a pulse laser beam having a pulse width of 100nsec or less is used to electrically insulate a P-type electrode forming region from an N-type electrode forming region in the crystalline silicon based solar cell, and PN isolation is realized. The solar cell can be manufactured by using the laser equipment, which is low price, can be easily maintained and does not take much installation space, by obtaining the pulse laser beam by using YAG laser or YVO4 laser equipment.
(FR)La présente invention décrit un procédé de fabrication de cellule solaire avec lequel on peut utiliser un équipement de fabrication d'entretien facile et une cellule solaire qui ne génère pas facilement de fuites électriques. Dans ledit procédé de fabrication, un faisceau laser à impulsion, d'une largeur d'impulsion de 100 nsec ou moins, sert à isoler électriquement une région de formation d'électrodes de type P d'une région de formation d'électrodes de type N, dans la cellule solaire à base de silicium cristallin et l'on parvient à une isolation PN. La cellule solaire peut être fabriquée à l'aide de l'équipement laser; ce qui n’est pas coûteux, ce qui est d'entretien facile et n'occupe pas beaucoup d'espace à l’installation ; on obtient le faisceau laser à impulsion en utilisant un laser YAG ou un équipement laser YVO4.
(JA) メンテナンスが容易な製造装置を用いることが可能であると共に、電気的なリークが生じ難い太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。  この発明の太陽電池の製造方法では、パルス幅が100nsec以下のパルスレーザビームを用いて、結晶シリコン系太陽電池のP型電極形成領域とN型電極形成領域とを電気的に絶縁加工し、PN分離を実現する。また、YAGレーザまたはYVO4レーザ装置を用いて上記パルスレーザビームを得ることにより、廉価で、メンテナンスが容易であると共に、設置スペースをとらないレーザ装置を用いて太陽電池を製造することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)