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1. (WO2006087684) REVERSE POLARIZATION LIGHT EMITTING REGION FOR A NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/087684    International Application No.:    PCT/IB2006/050511
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 16.02.2006
IPC:
H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (BE only).
LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC [US/US]; c/o 370 West Trimble Road, San José, CA 95131 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: SHEN, Yu-Chen; (US).
KRAMES, Michael, R.; (US).
GARDNER, Nathan, F.; (US)
Agent: VAN DER VEER, Johannis, L.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
11/061,247 18.02.2005 US
11/226,185 13.09.2005 US
Title (EN) REVERSE POLARIZATION LIGHT EMITTING REGION FOR A NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) ZONE D'EMISSION DE LUMIERE A POLARISATION INVERSE POUR DISPOSITIF LUMINESCENT AU NITRURE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light emitting device includes a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. The light emitting layer may be a wurtzite III- nitride layer with a thickness of at least 50 angstroms. The light emitting layer may have a polarization reversed from a conventional wurtzite III-nitride layer, such that across an interlace between the light emitting layer and the p-type region, the wurtzite c-axis points toward the light emitting layer. Such an orientation of the c-axis may create a negative sheet charge at an interface within or at the edge of the p-type region, providing a barrier to charge carriers in the light emitting layer.
(FR)Dispositif luminescent à semi-conducteurs comprenant une couche luminescente entre une zone de type n et une zone de type p. La couche en question peut être au nitrure III à wurtzite, d'épaisseur atteignant au moins 50 angströms. Elle peut avoir une polarisation inverse par rapport à une couche en nitrure III à wurtzite classique, de sorte qu'à une interface entre la couche luminescente et la zone de type p, l'axe c de wurtzite c pointe vers la couche en question. Une telle orientation de l'axe c peut créer une charge de feuille négative à une interface dans la zone de type p ou à la bordure de cette zone, assurant une barrière contre les vecteurs de charge au sein de la couche luminescente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)