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1. (WO2006087679) EMBEDDED DRAM WITH INCREASED CAPACITANCE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/087679    International Application No.:    PCT/IB2006/050493
Publication Date: 24.08.2006 International Filing Date: 15.02.2006
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
DE-JONGHE, Véronique [BE/FR]; (FR) (For US Only).
BERTHELOT, Audrey [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DE-JONGHE, Véronique; (FR).
BERTHELOT, Audrey; (FR)
Agent: PENNINGS, Johannes; NXP Semiconductors, IP Department, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Priority Data:
05300129.3 18.02.2005 EP
Title (EN) EMBEDDED DRAM WITH INCREASED CAPACITANCE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) MEMOIRE DRAM INCLUSE A CAPACITANCE ACCRUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)An embedded DRAM memory device comprising one or more cylinder type cell capacitors. Contact pillars (25) are provided in a PMD layer (27) on a substrate (10), and the lower (or storage mode) electrodes of the capacitors are formed by depositing an end stop layer (40) over the contact pillars (25) and then forming second contact trenches (62) in an oxide layer (60) provided over the PMD layer (27). The second contact trenches (62) are aligned with respective contact pillars (25) and filled with, for example, a barrier material plus tungsten. The oxide layer (60) is selectively etched at the location of the contact trench (62) to the end stop layer (40). The end stop layer etched and the PMD layer (27) is subsequently etched along a portion of the length of the first contact pillar (25) to form a trench (62). Finally, the tungsten in the second contact trench (62) is selectively etched through the barrier layer, so as to leave a barrier layer (64) e.g of TiN, on the inner walls and floor of the second trench (62).
(FR)La présente invention concerne une mémoire DRAM incluse comprenant un ou plusieurs condensateurs cellulaires de type cylindrique. Des piliers contact (25) sont réalisés dans une couche PMD (27) sur un substrat (10), les électrodes inférieures (ou du mode stockage) des condensateurs sont formés par dépôt d'une couche d'arrêt d'extrémité (40) sur les piliers contact (25) puis par formation de deuxièmes tranchées contact (62) dans une couche d'oxyde (60) réalisée au-dessus de la couche PMD (27). Les deuxièmes tranchées contact (62), qui viennent dans l'alignement des piliers contact correspondants (25), sont comblées essentiellement d'un matériau barrière additionné de tungstène. La couche d'oxyde (60) est sélectivement attaquée à l'emplacement de la tranchée contact (62) jusqu'à la couche d'arrêt d'extrémité (40). La couche d'arrêt d'extrémité attaquée et la couche PMD (27) sont alors attaquées sur une partie de la longueur du premier pilier contact (25) de façon à former une tranchée (62). Enfin, le tungstène dans la deuxième tranchée contact (62) est sélectivement attaqué au travers de la couche barrière, de façon à laisser une couche barrière (64), notamment en TiN, sur les parois intérieures et le fond de la deuxième tranchée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)