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1. (WO2006086636) POWER MOS DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/086636    International Application No.:    PCT/US2006/004739
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 10.02.2006
IPC:
H01L 29/94 (2006.01)
Applicants: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 495 Mercury Drive, Sunnyvale, California 94085 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: BHALLA, Anup; (US)
Agent: VAN PELT, Lee; VAN PELT, YI & JAMES LLP, 10050 N. FOOTHILL BLVD., Suite 200, Cupertino, California 95014 (US)
Priority Data:
11/056,346 11.02.2005 US
Title (EN) POWER MOS DEVICE
(FR) DISPOSITIF MOS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a drain, a body disposed over the drain, having a body top surface, a source embedded in the body, extending downward from the body top surface into the body, a gate trench extending through the source and the body into the drain, a gate disposed in the gate trench, a source body contact trench having a trench wall and an anti-punch through implant that is disposed along the trench wall. A method of fabricating a semiconductor device comprises forming a hard mask on a substrate having a top substrate surface, forming a gate trench in the substrate, through the hard mask, depositing gate material in the gate trench, removing the hard mask to leave a gate structure, forming a source body contact trench having a trench wall and forming an anti-punch through implant.
(FR)Un dispositif semi-conducteur comprend un drain, un corps situé au-dessus du drain et comportant une surface supérieure, une source noyée dans le corps et s'étendant vers le bas depuis la surface supérieure du corps jusqu'à l'intérieur du corps, une tranchée de grille qui traverse la source et le corps pour arriver dans le drain, une grille située dans la tranchée de grille, une tranchée de contact du corps de source comportant une paroi et un implant traversant anti-perçage qui est prévu le long de la paroi de tranchée. Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur consiste à former un masque dur sur un substrat comportant une surface de substrat supérieure, à former une tranchée de grille dans le substrat, à travers le masque dur, à déposer une matière de grille dans la tranchée de grille, à éliminer le masque dur pour laisser en place une structure de grille, à former une tranchée de contact du corps source comportant une paroi de tranchée et à former un implant anti-perçage traversant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)