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1. (WO2006086074) CARBON NANOTUBE SUBSTRATES AND CATALYZED HOT STAMP FOR POLISHING AND PATTERNING THE SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/086074    International Application No.:    PCT/US2005/045740
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 14.12.2005
Chapter 2 Demand Filed:    07.07.2006    
IPC:
C01B 31/02 (2006.01)
Applicants: WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY [US/US]; 6100 Main St., Houston, TX 77005 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Yuhuang [CN/US]; (US) (For US Only).
HAUGE, Robert, H. [US/US]; (US) (For US Only).
SCHMIDT, Howard, K. [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Myung, Jong [CN/US]; (US) (For US Only).
KITTRELL, W., Carter [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Yuhuang; (US).
HAUGE, Robert, H.; (US).
SCHMIDT, Howard, K.; (US).
KIM, Myung, Jong; (US).
KITTRELL, W., Carter; (US)
Agent: GARSSON, Ross, Spencer; WINSTEAD SECHREST & MINICK P.C., P.0. Box 50784, Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
60/636,727 16.12.2004 US
Title (EN) CARBON NANOTUBE SUBSTRATES AND CATALYZED HOT STAMP FOR POLISHING AND PATTERNING THE SUBSTRATES
(FR) SUBSTRATS A BASE DE NANOTUBES DE CARBONE ET PROCEDE D'ESTAMPAGE A CHAUD DESTINE AU POLISSAGE ET A LA STRUCTURATION DE CES SUBSTRATS
Abstract: front page image
(EN)The present invention is generally directed to catalyzed hot stamp methods for polishing and/or patterning carbon nanotube-containing substrates. In some embodiments, the substrate, as a carbon nanotube fiber end, is brought into contact with a hot stamp (typically at 200-800 °C), and is kept in contact with the hot stamp until the morphology/patterns on the hot stamp have been transferred to the substrate. In some embodiments, the hot stamp is made of material comprising one or more transition metals (Fe, Ni, Co, Pt, Ag, Au, etc.), which can catalyze the etching reaction of carbon with H2, CO2, H2O, and/or O2. Such methods can (1) polish the carbon nanotube-containing substrate with a microscopically smooth finish, and/or (2) transfer pre-defined patterns from the hot stamp to the substrate. Such polished or patterned carbon nanotube substrates can find application as carbon nanotube electrodes, field emitters, and field emitter arrays for displays and electron sources.
(FR)La présente invention concerne globalement des procédés d'estampage à chaud catalysé destinés au polissage et/ou à la structuration de substrats à base de nanotubes de carbone. Dans certains modes de réalisation, le substrat, tel que l'extrémité d'une fibre de nanotube de carbone, est mis en contact avec un moyen d'estampage à chaud (généralement à une température comprise entre 200 et 800°C) et maintenu en contact avec ce dernier jusqu'à ce que la morphologie/structure du moyen d'estampage à chaud soit transférée au substrat. Dans certains modes de réalisation, le moyen d'estampage à chaud est constitué d'un matériau comprenant un ou plusieurs métaux de transition (Fe, Ni, Co, Pt, Ag, Au, etc.) pouvant catalyser la réaction de gravure du carbone par du H2, du CO2, de l'H2O et/ou de l'O2. Les procédés de l'invention permettent (1) de polir le substrat à base de nanotubes de carbone et d'obtenir un fini lisse au niveau microscopique, et/ou (2) de transférer des motifs prédéfinis du moyen d'estampage à chaud au substrat. Ces substrats à base de nanotubes de carbone polis ou structurés peuvent être utilisés comme électrodes à base de nanotubes de carbone, émetteurs de champ et réseaux émetteurs de champ pour écrans et sources d'électrons.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)