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1. (WO2006085670) ELECTRODE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085670    International Application No.:    PCT/JP2006/302587
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 08.02.2006
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/38 (2010.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMANAKA, Sadanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ONO, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONDA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMANAKA, Sadanori; (JP).
ONO, Yoshinobu; (JP).
HONDA, Yoshiaki; (JP)
Agent: ENOMOTO, Masayuki; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
Priority Data:
2005-035854 14.02.2005 JP
Title (EN) ELECTRODE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLECTRODE ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 電極及び化合物半導体素子
Abstract: front page image
(EN)An electrode and a compound semiconductor element. The electrode comprises (1) a metal particle group arranged on a p-type compound semiconductor layer and having mean surface coverage C of 20-70% and mean equivalent circle diameter R of 8-30 nm, and (2) a metal film integrally covering the metal particle group and that portion of the p-type compound semiconductor layer not covered with the metal particle group and having electronegativity of 1.6 or above, wherein the mean surface coverage C is the ratio (SMP/SP) between the occupied area SMP of the metal particle group and the entire surface area SP of the p-type compound semiconductor layer, the mean equivalent circle diameter R is an equivalent circle diameter where the number of particles is maximized for equivalent circle diameters obtained from the occupied area of each metal particle assumed to be equivalent to a circle. The compound semiconductor element includes the electrode and the p-type compound semiconductor layer.
(FR)L’invention concerne une électrode et un élément semi-conducteur composé. L’électrode comprend (1) un groupe particulaire métallique disposé sur une couche semi-conductrice composée de type p et ayant une couverture superficielle moyenne C de 20 à 70% et un diamètre circulaire équivalent moyen R de 8 à 30 nm, et (2) un film de métal recouvrant intégralement le groupe particulaire métallique et la portion de la couche semi-conductrice composée de type p non recouverte par le groupe particulaire métallique et ayant une électronégativité supérieure ou égale à 1,6, la couverture superficielle moyenne C étant le rapport (SMP/SP) entre la zone occupée SMP du groupe particulaire métallique et toute la superficie SP de la couche semi-conductrice composée de type p, le diamètre circulaire équivalent moyen R étant un diamètre circulaire équivalent où le nombre de particules est optimisé pour les diamètres circulaires équivalents obtenus de la zone occupée de chaque particule métallique supposée équivalente à un cercle. L’élément semi-conducteur composé englobe l’électrode et la couche semi-conductrice composée de type p.
(JA)電極及び化合物半導体素子が提供される。電極は(1)及び(2)を含む電極。(1) p型化合物半導体層上に配置され、平均表面被覆率Cが20~70%、平均等価円直径Rが8~30nmである金属粒子群、(2) 金属粒子群、及びp型化合物半導体層のうち金属粒子群で被覆されていない部分を一体被覆してなる、電気陰性度が1.6以上の金属膜、但し、平均表面被覆率Cは金属粒子群が占める面積SMPとp型化合物半導体層の表面全体の面積Sの比(SMP/S)であり、平均等価円直径Rは、各々の金属粒子が占める面積から、円と等価として等価円直径を求め、これらの等価円直径について粒子数が最大となる等価円直径である。化合物半導体素子は前記電極とp型化合物半導体層を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)