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1. (WO2006085545) TOGGLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND TOGGLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WRITE METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085545    International Application No.:    PCT/JP2006/302153
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 08.02.2006
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKIMURA, Noboru; (JP).
HONDA, Takeshi; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2005-033713 09.02.2005 JP
Title (EN) TOGGLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND TOGGLE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WRITE METHOD
(FR) MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE À BASCULE ET MÉTHODE D’ÉCRITURE DE MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE À BASCULE
(JA) トグル型磁気ランダムアクセスメモリ及びトグル型磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法
Abstract: front page image
(EN)A toggle magnetic random access memory comprises a first memory array (3a), a second memory array (3b), and a controller (2). The first memory array (3a) has first memory cells each including a magnetic resistance element. The second memory array (3b) has second memory cells each including a magnetic resistance element and a write wiring used for write different from that of the first memory array (3a). The controller (2) controls, in a continuous burst write mode, the first and second memory arrays (3a, 3b) to operate alternately a first state in which a first burst write operation of the first memory array (3a) is performed and a second state in which a second burst write operation of the second memory array (3b) is performed. With this, the continuous burst write operation can be operated at high speed without degrading the reliability and inviting an increase of the circuit area.
(FR)La mémoire à accès aléatoire magnétique à bascule comprend une première matrice mémoire (3a), une deuxième matrice mémoire (3b) et un contrôleur (2). La première matrice mémoire (3a) possède les premières cellules mémoire incluant chacune un élément à résistance magnétique. La deuxième matrice mémoire (3b) possède les deuxièmes cellules mémoire incluant chacune un élément à résistance magnétique et un câblage d’écriture employé pour une écriture différente de celle de la première matrice mémoire (3a). Le contrôleur (2) contrôle en un mode continu d’écriture par salve la première et la deuxième matrice mémoire (3a, 3b) pour actionner en alternance un premier état dans lequel une première opération d’écriture en salve de la première matrice mémoire (3a) est réalisée et un deuxième état dans lequel une deuxième opération d’écriture en salve de la deuxième matrice mémoire (3b) est réalisée. Grâce à cela, il est possible d’exploiter à haute vitesse le fonctionnement continu d’écriture par salve sans dégrader la fiabilité ni provoquer une augmentation de la zone de circuit.
(JA) トグル型磁気ランダムアクセスメモリは、第1メモリアレイ(3a)と、第2メモリアレイ(3b)と、コントローラ(2)とを具備する。第1メモリアレイ(3a)は、磁気抵抗素子を含む複数の第1メモリセルを備える。第2メモリアレイ(3b)は、磁気抵抗素子を含む複数の第2メモリセルを備え、第1メモリアレイ(3a)とは書き込みに用いる書き込み配線が異なる。コントローラ(2)は、連続・バースト・ライト・モードにおいて、第1メモリアレイ(3a)における第1バースト・ライト動作を行う第1状態と、第2メモリアレイ(3b)における第2バースト・ライト動作を行う第2状態とを交互に実行するように第1メモリアレイ(3a)と第2メモリアレイ(3)bとを制御する。これにより、連続・バースト・ライト動作を、信頼性の低下や回路面積の増大を招くことなく高速に行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)