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1. (WO2006085489) HEAT TREATMENT APPARATUS AND HEAT TREATMENT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085489    International Application No.:    PCT/JP2006/301870
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 03.02.2006
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
IWANAGA, Shuji [JP/JP]; (For US Only)
Inventors: IWANAGA, Shuji;
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-031613 08.02.2005 JP
Title (EN) HEAT TREATMENT APPARATUS AND HEAT TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 加熱処理装置及び加熱処理方法
Abstract: front page image
(EN)A heat treatment apparatus for performing heat treatment to a semiconductor wafer (W) at a prescribed temperature is provided with a flexible heating plate (60), which is arranged in a treatment container main body (52) for storing the semiconductor wafer (W) and performs the heat treatment by bringing the semiconductor wafer (W) close to the surface of the heating plate or by placing the wafer on the surface of the heating plate; and a means (70) for bringing an arbitrary portion of the heating plate (60) into contact with or separating it from the semiconductor wafer (W). Thus, temperature control in accordance with warping of the semiconductor wafer (W) and an actual device is made possible, a uniform line width can be provided, and product yield can be improved.
(FR)Appareil de traitement thermique destiné à réaliser le traitement thermique d'une galette (W) de semi-conducteur à une température prescrite, doté d'une plaque de chauffage souple (60) disposée dans un corps principal de conteneur de traitement (52) en vue de recevoir la galette (W) de semi-conducteur et de réaliser le traitement thermique en amenant la galette (W) de semi-conducteur près de la surface de la plaque de chauffage ou en plaçant la galette sur la surface de la plaque de chauffage ; et d’un moyen (70) d'établir ou de rompre le contact entre une partie arbitraire de la plaque de chauffage (60) et la galette (W) de semi-conducteur. Ainsi, la régulation de la température en fonction du voilage de la galette (W) de semi-conducteur en conditions réelles est rendue possible, une largeur de trait uniforme est assurée et la productivité peut être améliorée.
(JA) 半導体ウエハWを所定温度に加熱処理する加熱処理装置において、半導体ウエハWを収容する処理容器本体52内に配設され、その表面に半導体ウエハWを近接又は載置して加熱処理する可撓性を有する加熱プレート60と、加熱プレート60の適宜箇所を、半導体ウエハWに対して接離移動する接離移動手段70とを設ける。これにより、半導体ウエハWの反りや実デバイスに応じた温度制御を可能にし、線幅の均一化等を図ると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)