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1. (WO2006085427) METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085427    International Application No.:    PCT/JP2006/300250
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 12.01.2006
Chapter 2 Demand Filed:    07.12.2006    
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUMOTO, Kenji [JP/JP]; (For US Only)
Inventors: MATSUMOTO, Kenji;
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-031820 08.02.2005 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONDENSATEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a capacitor wherein (a) an insulating film is formed on a substrate; (b) a lower electrode layer is formed on the insulating film; (c) a dielectric layer is formed on the lower electrode layer by sequentially performing, in the same chamber, a first step (c1) wherein at least either of one or more kinds of organic metal material gases and a vaporized organic solvent is supplied over the lower electrode layer without supplying an oxidizing gas, and a second step (c2) wherein both an organic metal material gas and an oxidizing gas are supplied over the lower electrode layer; and (d) an upper electrode layer is formed on the dielectric layer.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un condensateur dans lequel (a) un film isolant est formé sur un substrat ; (b) une couche d’électrode inférieure est formée sur le film isolant ; (c) une couche diélectrique est formée sur la couche d’électrode inférieure en réalisant de manière séquentielle, dans la même chambre, une première phase (c1) où au moins soit plusieurs types de gaz de matériau métallique organique soit un solvant organique vaporisé est injecté sur la couche d’électrode inférieure sans injecter de gaz oxydant, et une second phase (c2) où à la fois un gaz de matériau métallique organique et un gaz oxydant sont injectés sur la couche d’électrode inférieure ; et (d) une couche d’électrode supérieure est formée sur la couche diélectrique.
(JA) 容量素子の製造方法は、(a)基板上に絶縁膜を形成し、(b)前記絶縁膜の上に下部電極層を形成し、(c)酸化性ガスを供給しない状態で、一種又は複数種の有機金属材料ガスおよび気化した有機溶媒のうちの少なくとも一方を前記下部電極層の上に供給する第1の工程(c1)と、有機金属材料ガスおよび酸化性ガスを共に前記下部電極層の上に供給する第2の工程(c2)と、を含み、前記第1の工程(c1)と前記第2の工程(c2)とを同じチャンバ内で連続して実施することにより前記下部電極層の上に誘電体層を形成し、(d)前記誘電体層の上に上部電極層を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)