WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006085423) CMP METHOD, CMP APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BOARD HAVING STI STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085423    International Application No.:    PCT/JP2005/024231
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 27.12.2005
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/04 (2012.01)
Applicants: NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (For All Designated States Except US).
HOSHINO, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HOSHINO, Susumu; (JP)
Agent: HOSOE, Toshiaki; Corpo Fuji 605 3-6, Nishikanagawa 1-Chome Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2210822 (JP)
Priority Data:
2005-033807 10.02.2005 JP
Title (EN) CMP METHOD, CMP APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BOARD HAVING STI STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE CMP, APPAREIL CMP, PROCEDE DE FABRICATION D’UN CARTON CONTRE-COLLE AYANT UNE STRUCTURE STI ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) CMP研磨方法、CMP研磨装置、STI構造を有する積層基板の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)In a wafer, a thermally oxidized film (2) is formed on an Si substrate (1), and an SiN layer (3) is formed thereon, and further, an SiO2 layer (5) is formed to fill a trench formed on the films and cover the SiN layer (3), as shown in Figure (a). The wafer is polished by CMP, and a laminated board having an STI structure as shown in Figure (b) is formed. At an initial stage of CMP, a ceria slurry is used as slurry, and at a stage where polishing proceeded to partially expose a surface of the SiN layer (3), CMP is continued by switching the slurry to a silica slurry. As a result, dishing of an SiO2 (6) can be suppressed to be small.
(FR)Selon la présente invention, dans une grande particule, un film thermiquement oxydé (2) est formé sur un substrat de silicium (1), et une couche SiN (3) se forme sur celui-ci, et en outre, une couche SiO2 (5) se forme pour remplir un creux formé sur les films et pour recouvrir la couche SiN (3), tel qu’il est représenté sur la figure (a). La grande particule est polie par CMP, et un carton contre-collé ayant une structure STI tel qu’il est représenté sur la figure (b) est formé. Dans une première étape du CMP, une suspension épaisse d’oxyde de cérium est utilisée en tant que suspension épaisse, et dans l’étape où le polissage fonctionnait de manière à exposer partiellement une surface de la couche SiN (3), le CMP est maintenu en remplaçant la suspension épaisse par une suspension épaisse de silice. En conséquence, le bombage d'un SiO2 (6) peut être supprimé pour devenir petit.
(JA) (a)に示すように、Si基板1の上に熱酸化膜2が形成され、さらにその上にSiN層3が形成され、これらに形成されたトレンチを充填しさらにSiN層3を覆うようにSiO層5が形成されたウエハを、CMP研磨し、(b)に示すようなSTI構造を有する積層基板を形成する。CMP研磨の初期段階では、スラリーとしてセリアスラリーを使用し、研磨が進行して、SiN層3の表面が一部露出した段階で、スラリーをシリカスラリーに切り変えてCMP研磨を続行する。この結果、SiO6のディッシングを小さく抑えることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)