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1. (WO2006085021) METHOD FOR PRODUCING METAL/SEMICONDUCTOR CONTACTS THROUGH A DIELECTRIC
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/085021    International Application No.:    PCT/FR2006/050101
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 06.02.2006
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 27/142 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant" D", 75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
RIBEYRON, Pierre Jean [FR/FR]; (FR) (For US Only).
ROLLAND, Emmanuel [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: RIBEYRON, Pierre Jean; (FR).
ROLLAND, Emmanuel; (FR)
Agent: LEHU, Jean; BREVATOME, 3, Rue Du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
05 50357 08.02.2005 FR
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING METAL/SEMICONDUCTOR CONTACTS THROUGH A DIELECTRIC
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS METAL/SEMI-CONDUCTEUR A TRAVERS UN DIELECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for producing contacts (6.1 to 6.n) between at least one metallic layer (5) and at least one semiconductor substrate (1) through at least one dielectric layer (4) in a semiconductor device (100). Said semiconductor device (100) comprises the dielectric layer (4) on at least one face (2), the so-called base of the semiconductor substrate (1). The metallic layer (5) is stacked on the dielectric layer (4). Heated ends of a plurality of projecting elements (13.1 to 13. n) mounted on a support (12) are simultaneously brought into contact with the metallic layer (5), thus creating regions of molten metal (14.1 to 14. n) under the heated ends of the projecting elements (13.1 to 13. n). The molten metal passes through the dielectric (4) and merges with the semiconductor of the substrate (1) in the molten metal regions (14.1 to 14. n), thus creating the contacts (6.1 to 6.n).
(FR)L'invention se rapporte à un procédé de réalisation de contacts (6.1 à 6.n) entre au moins une couche métallique (5) et au moins un substrat semi¬ conducteur (1) à travers au moins une couche de diélectrique (4) dans un dispositif semi-conducteur (100) . Le dispositif semi-conducteur (100) comporte, sur au moins une face (2) , appelée « base », du substrat semi-conducteur (1) , la couche de diélectrique (4) . La couche métallique (5) est empilée sur la couche de diélectrique (4) . Des extrémités chauffées de plusieurs éléments en saillie (13.1 à 13. n) montés sur un support (12) sont mises en contact avec la couche métallique (5) simultanément, créant ainsi des zones de métal fondu (14.1 à 14. n) sous les extrémités chauffées des éléments en saillie (13.1 à 13. n) . Le métal fondu traverse le diélectrique (4) et fusionne avec le semi¬ conducteur du substrat (1) au niveau des zones de métal fondu (14.1 à 14. n) , créant ainsi les contacts (6.1 à 6.n) .
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)