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1. (WO2006084408) MICROWAVE UNIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/084408    International Application No.:    PCT/CH2006/000081
Publication Date: 17.08.2006 International Filing Date: 07.02.2006
IPC:
H01S 1/06 (2006.01)
Applicants: TECHNOMEDICA AG [CH/CH]; Säumerstrasse 45, CH-8832 Wollerau (CH) (For All Designated States Except US).
HALDIMANN, Adrian [CH/CH]; (CH) (For US Only).
LINDER, Patrick [CH/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: HALDIMANN, Adrian; (CH).
LINDER, Patrick; (CH)
Agent: RIGLING, Peter D; Troesch Scheidegger Werner AG, Schwäntenmos 14, CH-8126 Zumikon (CH)
Priority Data:
PCT/CH2005/000071 09.02.2005 CH
Title (DE) MIKROWELLENEINHEIT
(EN) MICROWAVE UNIT
(FR) UNITE A MICRO-ONDES
Abstract: front page image
(DE)Es ist eine Vorrichtung mit einem Hohlraumresonator angegeben, der aus einem Gehäuse (3, 4, 12) aus elektrisch leitendem Material besteht. Im Gehäuse (3, 4, 12) sind eine Reflektoreinheit (11), eine Mikrowelleneinheit (9) und eine teildurchlässige Reflektoreinheit (5) vorgesehen, wobei das Gehäuse (4) eine Strahlungsöffnung (13) aufweist. Die Reflektoreinheit (11), die Mikrowelleneinheit (9), die teildurchlässige Reflektoreinheit (5) und die Strahlungsöffnung (13) liegen auf einer Strahlungsachse (14), wobei die Mikrowelleneinheit (9) zwischen den Reflektoreinheiten (5, 11) angeordnet ist. Ferner entspricht ein Abstand zwischen der Reflektoreinheit (11) und der teildurchlässigen Reflektoreinheit (5) einer zu erzeugenden bzw. zu detektierenden halben Wellenlänge oder dem Mehrfachen dieser halben Wellenlänge. Gleichzeitig ist eine Abmessung quer zur Strahlungsachse (14) mindestens ein Viertel der Wellenlänge.
(EN)The invention relates to a device with a cavity resonator comprised of a housing (3, 4, 12) made of electrically conductive material. A reflector unit (11), a microwave unit (9) and a semireflecting reflector unit (5) are provided inside the housing (3, 4, 12), said housing (4) having a radiation opening (13). The reflector unit (11), the microwave unit (9), the semireflecting reflector unit (5) and the radiation opening (13) are situated on a radiation axis (14), the microwave unit (9) being placed between the reflector units (5, 11). In addition, a distance between the reflector unit (11) and the semireflecting reflector unit (5) correspond to a half wavelength to be generated or to be detected or to the multiple of this half wavelength. At the same time, a measurement transversal to the radiation axis (14) is at least one fourth of the wavelength.
(FR)La présente invention concerne un dispositif comprenant un résonateur à cavité qui consiste en un boîtier (3, 4, 12) en matériau électriquement conducteur. Dans le boîtier (3, 4, 12) se trouvent une unité de réflexion (11), une unité à micro-ondes (9) et une unité de réflexion partiellement transparente (5), le boîtier (4) présentant une ouverture de rayonnement (13). L'unité de réflexion (11), l'unité à micro-ondes (9), l'unité de réflexion partiellement transparente (5) et l'ouverture de rayonnement (13) se trouvent sur un axe de rayonnement (14), l'unité à micro-ondes (9) se trouvant entre les unités de réflexion (5, 11). De plus, l'espace entre l'unité de réflexion (11) et l'unité de réflexion partiellement transparente (5), correspond à une demi-longueur d'onde à produire ou à détecter, ou à un multiple de cette demi-longueur d'onde. Dans le même temps, une mesure prise transversalement à l'axe de rayonnement (14) vaut au moins un quart de la longueur d'onde.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)